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IRF223

产品描述4A, 150V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小835KB,共8页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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IRF223概述

4A, 150V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

IRF223规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Rochester Electronics
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)85 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻1.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)16 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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