TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,28A I(D),SO
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
Objectid | 113162248 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
compound_id | 178117445 |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 28 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.8 W |
表面贴装 | YES |
TPCA8051-H(TE12L) | TPCA8051-H(TE12L1) | TPCA8051-H(TE12L1,Q) | |
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描述 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,28A I(D),SO | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,28A I(D),SO | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,28A I(D),SO |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow |
配置 | Single | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 28 A | 28 A | 28 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.8 W | 45 W | 45 W |
表面贴装 | YES | YES | YES |
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