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BZT52-B5V1FN2-AU_R0_10001

产品描述SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
文件大小285KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZT52-B5V1FN2-AU_R0_10001概述

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

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BZT52-B5V1FN2-AU SERIES
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
5.1~5.6 Volts
POWER
250 mWatts
0.042(1.05)
0.037(0.95)
FEATURES
0.026(0.65)
0.022(0.55)
• 250mW Power Dissipation
• Zener Voltages from 5.1-5.6V
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
Acqire quality system certificate : TS16949
AEC-Q101 qualified
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.017(0.45)
0.021(0.55)
• Planar Die construction
0.002(0.05)MAX.
0.013(0.32)
0.008(0.22)
0.022(0.55)
PIN NO.1
IDENTIFICATION
0.047(0.45)
MECHANICAL DATA
• Case: DFN-2L, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0011 grams , 0.00004 ounces
• Mounting Position: Any
• Polarity:Color band denotes cathode end
1
Cathode
2
Anode
MAXIMUM RATINGS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
o
Parameter
Power Dissipation
Thermal resistance Junction to Ambient ( Note 1)
Operating Junction Temperature and StorageTemperature Range
Symbol
Value
250
500
-55 to +150
Units
mW
O
P
D
R
ΘJA
T
J
C/W
O
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
Max Reverse
Leakage Current
I
R
@ V
R
mA
μA
V
o
Nominal Zener Voltage
Part Number
No m. V
250 mWatts Zener Diodes
BZT52-B5V1FN2-AU
BZT52-B5V6FN2-AU
Max. Zener Impedance
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
mA
Ω
V
Z
@ I
ZT
Mi n. V
Ma x. V
Ω
Marking
Code
5.1
5.6
5.00
5.49
5.20
5.71
60
40
5.0
5.0
480
400
1.00
1.00
2
1
2
2
W9
WA
NOTES:
1.Mounted on mimimum pad layout .
June 28,2011-REV.00
PAGE . 1
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