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ER202_B0_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15, HALOGEN FREE, HERMETIC SEALED, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小86KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER202_B0_00001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15, HALOGEN FREE, HERMETIC SEALED, PLASTIC PACKAGE-2

ER202_B0_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明HALOGEN FREE, HERMETIC SEALED, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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ER200~ER206
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Superfast recovery times-epitaxial construction.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
• Hermetically sealed.
• Low leakage.
• High surge capability.
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
.140(3.6)
.300(7.6)
.230(5.8)
1.0(25.4)MIN.
50 to 600 Volts
CURRENT
2.0 Ampere
DO-15
Unit: inch(mm)
.034(.86)
.028(.71)
• Low forward voltage, high current capability.
MECHANICALDATA
• Case: Molded plastic, DO-15
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color Band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.014 ounce, 0.397 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T
A
= 5 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 2 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 1 2 5
O
C
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 2 )
Ty p i c a l J u n c t i o n R e s i s t a n c e ( N o t e 3 )
O p e r a t i n g a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
E R 2 0 0 E R 2 0 1 E R 2 0 1 A E R 2 0 2 E R 2 0 3 E R 2 0 4 E R 2 0 6
U N I T S
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
J A
T
J
, T
S TG
0 .9 5
1 .0
200
35
22
40
-5 5 to +1 5 0
O
50
35
50
100
70
100
1.0(25.4)MIN.
.104(2.6)
150
105
150
200
140
200
2 .0
50
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
1 .2 5
1 .7 0
V
µ
A
ns
pF
C / W
O
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, I
rr
=.25A
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC
3. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead length 0.375"(9.5mm) P.C.B. mounted
STAD-FEB.18.2009
PAGE . 1
富士通FRAM新产品说明
134241 134242...
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