Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SB1426P

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2SB1426P: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小109KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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2SB1426P概述

Transistor

2SB1426P规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TO – 92

2SB1426

TRANSISTOR (PNP)

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

FEATURES

General Purpose Switching and Amplification

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

θJA

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

-20

-6

-3

750

166

150

-55~+150

Unit

℃/W

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Collector output capacitance

Transition frequency

*Pulse test

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

CE(sat)

Test

conditions

Min

-20

-6

Typ

Max

Unit

= -0.05mA,I

=-1mA,I

=-0.05mA,I

=-20V,I

=-5V,I

=-2V, I

=-0.1A

=-2A,I

=-0.1A

=-10V,I

=0, f=1MHz

=-2V,I

=-0.5A, f=100MHz

-0.1

240

390

-0.5

μA

MHz

CLASSIFICATION OF h

RANK

RANGE

82-180

120-270

180-390

A,Dec,2010

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存储芯片逆袭！七年来三星、海力士毛利率首超台积电

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2月4日，光合组织成员单位灵达发布服务器存储控制与高速网络连接系列国产核心I/O部件。灵达发布的灵可达Linkdata产品采用纯自研架构，在性能与能效方面实现同步提升，打破该类关键部件长期依赖进口的局面。目前，灵可达Linkdata产品已在通用服务器、AI服务器及重点行业应用场景中实现规模化交付。纯自研I/O部件夯实底座能力本次发布的灵可达Linkdata产品覆盖HBA卡...[详细]
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超强高压极化电子枪问世可将电子从零加速到光速的百分之八十

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苹果要首发！台积电宣布2nm已准备就绪

11月25日消息，据报道，台积电在其欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，N2PIP已经准备就绪，所有客户都可以基于台积电的2nm节点设计2nm芯片。据悉，台积电准备准备在2025年末开始大规模量产N2工艺，同时A16工艺计划在2026年末开始投产。按照台积电的规划，从2025年末至2026年末，N2P、N2X以及A16将相继到来，从技术上来看，以上工艺节点有相似之处，包括采用了GAA架构...[详细]

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