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MMDT3906-R2-00001

产品描述MMDT3906-R2-00001
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小197KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMDT3906-R2-00001概述

MMDT3906-R2-00001

MMDT3906-R2-00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codeunknown

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MMDT3906
DUAL PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
FEATURES
• PNP epitaxial silicon, planar design
• Collector-emitter voltage V
CE
= -40V
• Collector current I
C
= -200mA
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.030(0.75)
0.021(0.55)
0.056(1.40)
40 Volts
POWER
200 mWatts
SOT-363
0.087(2.20)
0.074(1.90)
Unit
inch(mm)
0.010(0.25)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-363, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.006 gram
• Marking: S2A
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.010(0.25)
0.003(0.08)
0.047(1.20)
0.012(0.30)
0.005(0.15)
6
5
4
1
2
3
Fig.53
ABSOLUTE RATINGS
PARAMETER
C ollector - Emi tter Voltage
C ollector - Base Voltage
Emi tter - Base Voltage
C ollector C urrent - C onti nuous
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
-40
-40
-5.0
-200
Uni ts
V
V
V
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Max Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance , Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
P
TOT
R
θ
JA
T
J
T
STG
Value
200
625
-55 to 150
-55 to 150
Units
mW
O
C/W
O
C
C
O
Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
STAD-MAY.06.2006
PAGE . 1
iNand timeouts
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