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BSM100GT170DL

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小157KB,共4页
制造商EUPEC [eupec GmbH]
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BSM100GT170DL概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel,

BSM100GT170DL规格参数

参数名称属性值
厂商名称EUPEC [eupec GmbH]
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)100 A
集电极-发射极最大电压1700 V
配置3 BANKS, PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X39
元件数量6
端子数量39
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON

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