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US1006FL_R1_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小140KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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US1006FL_R1_00001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon,

US1006FL_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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US1001FL~US1008FL
SMALL SURFACE MOUNT FAST DIODES
VOLTAGE
FEATURES
For surface mounted applications in order to optimize board space
Ideal for automated placement
Glass Passivated Chip Junction
High temperature soldering : 260oC / 10 seconds at terminals
Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.115(2.90)
0.106(2.70)
100 to 800 Volts
CURRENT
1 Amperes
0.075(1.90)
0.067(1.70)
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-123FL, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0006 ounce, 0.0173 gram
• Polarity: Color band denotes cathode end
0.145(3.70)
0.137(3.50)
0.030(0.75)
0.017(0.45)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Rating
Marking code
Maximum repetitve peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Test condition
Symbol
-
V
RRM
V
RMS
V
R
US1001FL US1002FL US1004FL US1006FL US1008FL
U1B
100
70
100
U1D
200
140
200
U1G
400
280
400
U1J
600
420
600
U1K
800
560
800
0.008(0.20)
0.004(0.10)
0.044(1.10)
0.031(0.80)
0.043(1.08)
0.038(0.98)
Units
-
V
V
V
Maximum average forward rectified current
T
A
=25
O
C
I
F(AV)
1
A
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave
T
L
=25
O
C
I
FSM
30
A
Maximum instantaneous forward voltage
Maximum DC reverse current at rated DC blocking
voltage
Reverse recovery time
1A
V
F
1
1.4
1.7
V
T
J
=25
O
C
I
F
=0.5A
I
R
=1A
I
rr
=0.25A
4V,1MHz
I
R
1
A
t
rr
C
J
R
JA
T
J
,T
STG
50
100
nS
Typical capacitance
9
pF
Typical thermal resistance
(Note 1)
200
O
C/W
Operating junction and storage temperature range
-55 to +150
O
C
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