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MBR8200CT_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小96KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR8200CT_T0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

MBR8200CT_T0_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

MBR8200CT_T0_00001文档预览

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MBR840CT~MBR8200CT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
40 to 200 Volts
CURRENT
8 Ampere
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AB molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re curre nt P e a k Re ve rse Vo lta ge
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B locki ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra ge F orward (S e e F i g ure 1 )
P ea k Fo rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 ms si ngle ha lf si ne -wave
sup eri mp o se d on rated loa d (JE D E C me tho d)
Ma xi mum Fo rward Vo lta ge a t 4 A
Ma xi mum D C Reve rse C urrent at Ra te d D C B lo cki ng
Vo lta ge
Typ i ca l The rma l Re si stance
Op e ra ti ng Juncti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Rang e
T
J
=25
O
C
T
J
=10 0
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
θJ
C
T
J
,T
S TG
MB R8 4 0C T MB R8 45 C T MB R8 5 0 CT MB R86 0 C T MBR8 8 0 CT MB R89 0 C T MB R8 10 0 C T MB R81 5 0 CT MB R8 20 0 C T
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
8
150
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
14 0
200
0 .7
0 .75
0.0 5
20
3
0.8
0.9
V
mA
O
C / W
O
-55 to +1 5 0
-6 5 to +1 7 5
C
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.
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