Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> NT5TU64M16DG-37B

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NT5TU64M16DG-37B: 产品描述DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, GREEN, BGA-84; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共87页; 制造商南亚科技(Nanya); 官网地址http://www.nanya.com/cn; 标准; 南亚科技股份有限公司以成为最佳DRAM(动态随机存取记忆体)之供应商为目标，强调以服务客户为导向，透过与夥伴们紧密的合作，强化产品的研发与制造，进而提供客户全方位产品及系统解决方案。面对持续成长的利基型DRAM市场，南亚科技除了提供从128Mb到8Gb产品，更持续拓展产品多元化。主要的应用市场包括数位电视、机上盒(STB)、网通、平板电脑等智慧电子系统、车用及工规等产品。同时，为满足大幅成长的行动与穿戴装置市场需求，南亚科技更专注於研发及制造低功耗记忆体产品。近年来，南亚科技积极经营利基型记忆体市场，专注於低功耗与客制化核心产品线的研发。在制程进度上，更导入20奈米制程技术，致力於生产DDR4和LPDDR4产品，期能进一步提升整体竞争力。南亚科技也将持续强化高附加价值利基型记忆体战线与完美的客户服务，强化本业营运绩效，确保所有股东权益，创造企业永续经营之价值。

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NT5TU64M16DG-37B概述

DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, GREEN, BGA-84

NT5TU64M16DG-37B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	南亚科技(Nanya)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数	84
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
长度	13 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	84
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	64MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.29 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	9 mm

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NT5TU256M4DE / NT5TU128M8DE / NT5TU64M16DG

1Gb DDR2 SDRAM

Feature

CAS Latency Frequency

DDR2-533

Speed Sorts

(CL-tRCD-tRP)

DDR2-667

-3C/-3CI

5-5-5

min

125

3.75

max

333

70K

DDR2-800

-AD/-ADI

6-6-6

min

125

3.75

2.5

max

400

70K

-AC/-ACI

5-5-5

min

125

12.5

57.5

3.75

2.5

max

400

70K

min

125

13.125

58.125

3.75

2.5

1.875

-BE

7-7-7

DDR2-1066

-BD

Units

6-6-6

max

533

70K

min

125

11.25

56.25

3.75

2.5

1.875

max

533

70K

MHz

-37B/-37BI

4-4-4

min

125

3.75

max

266

70K

Parameter

Max. Clock

tRCD

tRP

tRC

tRAS

tCK

(Avg.)

CL3

tCK

(Avg.)

CL4

tCK

(Avg.)

CL5

tCK

(Avg.)

CL6

tCK

(Avg.)

CL7



1.8V ± 0.1V Power Supply Voltage

8 internal memory banks

Programmable CAS Latency:

3, 4, 5 (DDR2-37B/-3C/-AC)

4, 5, 6 (-AD)

6 (-BD) and 7 (-BE)



Data-Strobes: Bidirectional, Differential

Support Industrial grade temperature -40℃~95℃

Operating t Temperature (-37BI/-3CI/-ADI/-ACI)



1KB

page size for x4 and x8

2KB page size for x16



Strong and Weak Strength Data-Output Driver

Auto-Refresh and Self-Refresh

Power Saving Power-Down modes

7.8 µs max. Average Periodic Refresh Interval

RoHS Compliance

Packages:

60-Ball BGA for x4 / x8 components

84-Ball BGA for x16 components



Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4 5 and 6

Write Latency = Read Latency -1

Programmable Burst Length:

4 and 8 Programmable Sequential / Interleave Burst

OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)

ODT (On-Die Termination)

4 bit prefetch architecture

REV 1.8

Nov / 2009

CONSUMER DRAM

NANYA TECHNOLOGY CORP

NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.

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