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F1MF1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小517KB,共5页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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F1MF1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon,

F1MF1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FREE WHEELING DIODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

F1MF1文档预览

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F1A THRU F1M
Surface Mount Fast Recovery Rectifier
Features
RoHS
COMPLIANT
● Low profile package
● Ideal for automated placement
● Glass passivated chip junction
● Fast switching for fast recovery
● High forward surge capability
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °
C
Typical Applications
For use in fast switching rectification of power supply,
inverters, converters, and freewheeling diodes for
consumer, and telecommunication.
Mechanical Date
Package:
SOD-123FL
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant, halogen-free
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
Cathode line denotes the cathode end
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
Device marking code
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified output current
@60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1)
Surge(non-repetitive)forward current
@ 60Hz half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃
Storage temperature
Junction temperature
VRRM
IO
IFSM
Tstg
Tj
V
A
A
SYMBOL
UNIT
F1A
F1A
50
F1B
F1B
100
F1D
F1D
200
F1G
F1G
400
1.0
30
-55 ~+150
-55 ~+150
F1J
F1J
600
F1K
F1K
800
F1M
F1M
1000
■Electrical
Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum reverse recovery time
SYMBOL
UNIT
TEST
CONDITIONS
IFM=1.0A
IF=0.5A,IR=1.0A,
IRR=0.25A
Ta=25℃
IRRM
μA
Ta=125℃
100
F1A
F1B
F1D
F1G
F1J
F1K
F1M
VF
V
1.3
trr
ns
150
5
250
500
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage per diode
1/5
S-S020
Rev. 2.2, 28-Apr-14
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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