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S2K-AU_R2_100A1

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小545KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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S2K-AU_R2_100A1概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

S2K-AU_R2_100A1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101; TS 16949
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流1 µA
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

S2K-AU_R2_100A1文档预览

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S2A-AU~S2M-AU
SURFACE MOUNT RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Easy pick and place
• Glass passivated iunction
• Acqire quality system certificate : TS16949
• Manufactured in accordance with AECQ101
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.155(3.94)
0.130(3.30)
0.083(2.11)
0.075(1.91)
0.185(4.70)
0.160(4.06)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.096(2.44)
0.083(2.13)
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.220(5.59)
0.200(5.08)
50 to 1000 Volts
CURRENT
2.0 Amperes
Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic
Terminals:Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.003 ounce, 0.092 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase , half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load , derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re curre nt P e a k Re ve rse Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B loc k i ng Vo lta ge
Ma xi mum A ve ra g e F o rwa rd C ur re nt a t T
L
=11 0
O
C
P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s upe ri mp os e d o n ra te d lo a d ( JE D E C me tho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta ge a t 2 .0A
Ma xi mum D C Re ve rs e C urre nt a t T
J
=25
O
C
Ra te d D C B lo ck i ng Volta g e T
J
=1 2 5
O
C
Ma xi mum J uncti o n C a p a ci ta nc e (No te 1 )
Typi c a l Junc ti o n Res i sta nce (No te 2)
Op era ti ng Juncti o n a nd S to ra g e Temp e ra ture Ra ng e
S YMB OL S 2 A -A U S 2 B -A U S 2 D - A U S 2 G-A U S 2 J -A U S 2 K -A U S 2M-A U UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F SM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JL
T
J
,T
S TG
50
35
50
10 0
70
10 0
200
140
200
400
280
400
2 .0
60
1.1
1.0
12 5
30
16
-5 5 to +1 5 0
O
600
42 0
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μA
pF
C / W
O
C
NOTES:
1.Measured at 1.0 MHZ and applied Vr=4.0 volts.
2.8.0mm
2
(.013mm thick)land areas.
STAD-FEB.27.2009
1
PAGE . 1
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