Cache DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO68, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-70/68
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) |
零件包装代码 | TSOP2 |
包装说明 | TSOP2, TSSOP68/70,.46 |
针数 | 70/68 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | PAGE |
最长访问时间 | 80 ns |
其他特性 | RAS ONLY/AUTO/SELF REFRESH |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G68 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 23.49 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | CACHE DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 68 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 |
封装等效代码 | TSSOP68/70,.46 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 1024 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大待机电流 | 0.005 A |
最大压摆率 | 0.27 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 10.16 mm |
M5M4V4169TP-20 | M5M4V4169TP-15 | |
---|---|---|
描述 | Cache DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO68, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-70/68 | Cache DRAM, 256KX16, 75ns, CMOS, PDSO68, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-70/68 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | TSOP2 | TSOP2 |
包装说明 | TSOP2, TSSOP68/70,.46 | TSOP2, TSSOP68/70,.46 |
针数 | 70/68 | 70/68 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | PAGE | PAGE |
最长访问时间 | 80 ns | 75 ns |
其他特性 | RAS ONLY/AUTO/SELF REFRESH | RAS ONLY/AUTO/SELF REFRESH |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G68 | R-PDSO-G68 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
长度 | 23.49 mm | 23.49 mm |
内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | CACHE DRAM | CACHE DRAM |
内存宽度 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 68 | 68 |
字数 | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX16 | 256KX16 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 | TSOP2 |
封装等效代码 | TSSOP68/70,.46 | TSSOP68/70,.46 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 3.3 V | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 1024 | 1024 |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm |
自我刷新 | YES | YES |
最大待机电流 | 0.005 A | 0.005 A |
最大压摆率 | 0.27 mA | 0.33 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 10.16 mm | 10.16 mm |
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