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MBRF20100CTW

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小156KB,共3页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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MBRF20100CTW概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN

MBRF20100CTW规格参数

参数名称属性值
厂商名称台湾光宝(LITEON)
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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MBRF20100CTW
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
FEATURES
REVERSE VOLTAGE
FORWARD CURRENT
– 100 Volts
– 20 Amperes
Metal of silicon rectifier, majority carrier conduction
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
High surge&current capability, low VF
For use in low voltage, high frequency inverters, free
wheeling, and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
ITO-220AB(WB)
Case: ITO-220AB molded plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.06 ounces, 1.7 grams
Mounting position: Any
Max. mounting torque=0.5 N.m (5.1 Kgf.cm)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
°C
ambient temperature unless otherwise specified.
PARAMETER
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Output Current
@Tc=110°C
SYMBOL
V
RRM
V
DC(AV)
I
F
I
FSM
MBRF20100CTW
100
100
20
150
UNIT
V
V
A
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage
(Note1)
IF=10A@ Tj=25°C
IF=10A@ Tj=125°C
V
F
0.85
0.75
V
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Typical thermal resistance (Note 3, 4)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note :
Tj=25°C
Tj=125°C
IR
C
J
R
Θ
JC
R
Θ
JL
R
Θ
JA
T
J
T
STG
10
10
270
3
4
10
-55 to +150
-55 to +150
uA
mA
pF
°C/W
°C
°C
REV. 0, Jan-2013, KTHC104
(1) 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
(2) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 V
DC
.
(3) Thermal Resistance Junction to Case, Lead and Ambient.
(4) Unit mounted on 220 x 220 x 15 mm Aluminum plate heatsink
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