Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Microsemi |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | UNCASED CHIP, X-XUUC-N |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 26 A |
最大漏源导通电阻 | 0.125 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | X-XUUC-N |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | UNSPECIFIED |
封装形式 | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
晶体管元件材料 | SILICON |
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