Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P6SMB30A-AU_R1_000A1

文档预览

P6SMB30A-AU_R1_000A1: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 25.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小406KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

P6SMB30A-AU_R1_000A1在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	P6SMB30A-AU_R1_000A1	-	-	点击查看	点击购买

P6SMB30A-AU_R1_000A1概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 25.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

P6SMB30A-AU_R1_000A1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	31.5 V
最小击穿电压	28.5 V
击穿电压标称值	30 V
最大钳位电压	41.4 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	AEC-Q101; IEC-61000-4-2; TS 16949
最大重复峰值反向电压	25.6 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

P6SMB30A-AU_R1_000A1文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P6SMB-AU SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

6.8 to 250 Volts

FEATURES

0.155(3.94)

0.130(3.30)

0.083(2.11)

0.075(1.91)

0.185(4.70)

0.160(4.06)

0.012(0.305)

0.006(0.152)

0.096(2.44)

0.083(2.13)

0.050(1.27)

0.030(0.76)

0.220(5.59)

0.200(5.08)

• For surface mounted applications in order to optimize board space.

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Fammability Classification 94V-O

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• Acqire quality system certificate : TS16949

•

AEC-Q101 qualified

• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives

• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)

MECHANICAL DATA

• Case:JEDEC DO-214AA ,Molded plastic over passivated junction

• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750,Method 2026

• Polarity : Color band denotes cathode end

• Standard Packaging:12mm tape (EIA-481)

• Weight: 0.003 ounce, 0.093 gram

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Ele ctrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000s waveform (Notes 1,2, Fig.1)

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method) (Notes 2,3)

Peak Pulse Current on 10/1000s waveform (Notes 1) Fig.3

Typical Thermal Resistance Junction to Air (Notes 2)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

FSM

PPM

JA

STG

Value

600

100

see Table 1

-55 to +150

Units

Watts

Amps

C/W

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

= 25

C per Fig. 2.

2. Mounted on 5mm

(0.13mm thick) land areas.

3. Measured on 8.3ms, single hal f sine-wave or equivalent s quare wave, duty cycle = 4 pulse s per minute maximum.

A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

R W M

), which should be equal to or greater than

the DC or continuous peak operating voltage level.

January 24,2013-REV.07

PAGE . 1

推荐资源

有人用过icl7135这个芯片么？: #include"reg51.h" #include"absacc.h" #define ad_run XBYTE #define ad_read XBYTE #define uchar unsigned char uchar ad; uchar A; uchar i; bit error; main() { IT0=1; ......; njzgw 嵌入式系统

stm8的中断问题: 我在一个程序中使用了SIM和RIM，但为啥效果不太理想 ...; 沉淀淀 stm32/stm8

诚聘硬件工程师: 诚聘硬件工程师一名，主要负责原理图、PCB绘制及调试。有相关工作经验者优先。全职，大小周，上班时间：9：00-12：00 13：30-18：00 待遇从优有意向者请联系，谢谢！深圳市芯元电 ......; Candy-liu 工作这点儿事

刚刚入手了stm32 F0的板子，入门求教: 之前有一定的51基础，现在开始学习stm。手边有stm8的最小系统，还有一块stm32 F0的开发版，不知道学哪一个比较好。另外，求教stm32的学习资料，拜托了各位大神 ...; 小愤青620 stm32/stm8

如何选择ARM CPU的操作系统: 从8位/16位单片机发展到以ARM CPU核为代表的32位嵌入式处理器，嵌入式操作系统将替代传统的由手工编制的监控程序或调度程序，成为重要的基础组件。更重要的是嵌入式操作系统对应用程序可以起到 ......; clj2004000 ARM技术

旁路电容的选取和电路设计实例(一): 该系列文章讲述了电源部分去耦和旁路电容的设计原则。文中涉及了电容的选取，布局布线和仿真。本文为第一部分，讲述了电压调整器供电部分和旁路电容的交感，另外，还对电路总的阻抗，包括集成电 ......; lixiaohai8211 模拟电子

全志推出 V861 双核 64 位 RISC-V 人工智能摄像头芯片

全志V861是一款全新的双核32位/64位RISC-VC907系统级封装（SiP）芯片，内置128MB片上DDR3L内存，集成1TOPS算力的人工智能神经网络处理单元（NPU），专为4K人工智能摄像头应用场景量身打造。该芯片还搭载一枚32位低功耗RISC-VE907核心，支持4Kp25分辨率的H.264/H.265视频编码与1080p60...[详细]
国产半导体，当前发展如何？

近几年，受地缘摩擦持续影响，全球半导体市场格局愈发复杂多变。在此背景下，“国产替代”已成为当前半导体领域的核心关键词。从当前国内半导体设备行业的国产化进程来看，各环节国产化率存在显著差异：其中去胶设备的国产化率相对较高，而刻蚀、清洗、CMP、PVD等其他关键环节的国产化率均处于较低水平。在高端制程设备领域，市场仍由国外头部企业主导；国内头部厂商如北方华创、中微公司等，已在各自擅长的细分设...[详细]
三星、SK集团回应存储芯片涨价

11月12日消息，近日，闪存龙头闪迪宣布11月大幅调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50%。值得一提的是，在这波宣布前，9月以来存储芯片价格已连续上涨。业内惊呼，存储芯片迎来罕见涨价潮，可谓“超级周期”。存储芯片主要分为DRAM（内存）和NAND（闪存）。其中，三星、SK集团在这两大领域均位列前茅。为何这波存储芯片涨价如此迅猛？有媒体采访了三星和SK集团的工作人员。其中，三星工作人员表示...[详细]
安谋科技发布“AI Arm CHINA”战略，“周易”NPU引领端侧大模型落地

2025年11月20日，ICCAD-Expo2025在成都盛大开幕。安谋科技CEO陈锋受邀出席高峰论坛，正式对外发布“AIArmCHINA”战略发展方向，陈锋明确提出了“全力投入AI，连接Arm全球生态，深耕中国本土创新”的核心定位。安谋科技产品总监鲍敏祺则在媒体采访中，详细解读了作为战略核心载体的“周易”NPUIP的技术优势与落地路径，以“周易”为代表的高性能NPUIP，标志着...[详细]
品质追求：来自晶圆厂的真知灼见

作为应用材料公司自动化产品部市场营销与战略规划总监，DavidHanny的团队经常有机会与客户进行深入交流。因此，应用材料公司对行业的需求有着深刻洞察，今天DavidHanny想分享一些来自客户的反馈。当与客户沟通时，他们普遍关注四大核心需求，这是他们需要为其终端客户提供的服务。▲扫码查看视频，了解完整对谈DavidHanny团队最近有机会与一些不同芯片的领先供应商...[详细]
英伟达否认“DeepSeek 使用禁售Blackwell 芯片”相关传闻

12月12日消息，据科技媒体MobileWorldLive前天报道，英伟达否认了中国AI初创公司深度求索（DeepSeek）使用禁售的Blackwell芯片训练最新模型相关指控。英伟达首先在致该媒体的邮件声明中回顾了过往传闻，其中外媒《TheInformation》前天援引六位匿名消息人士称，DeepSeek所使用的Blackwell芯片通过复杂走私手段被运往中国...[详细]
ST 推出高温栅灵敏型双向晶闸管

意法半导体推出首款栅灵敏度10mA、额定工作温度高达150℃的双向晶闸管。通过节省散热器、栅驱动电源和缓冲电路，新产品可以让设计人员为加热器、电机、小家电开发低成本的电源驱动解决方案。全新产品T410H、T610H、T810H和T1010H的最大额定电流分别为4A、6A、8A和10A。10mA的低栅电流让双向晶闸管可直接进行逻辑级开关操作，这个优点可减少元器件的数量，降低电源的尺...[详细]
Intel大连项目设备与材料商配套服务紧锣密鼓

7月14-15日，以SEMI物流工作委员会组织的、包括AppliedMaterials、KLA-Tencor、TEL、DainipponScreen、AirProducts、Cymer、Novellus、Advantest和ASML等多家世界著名的半导体设备与材料供应商齐聚大连，与大连当地的海关、商检、出口加工区、外管、开发区交通局、交警大队、环保、安监等政府职能机构一起，共同探讨I...[详细]
三星预估DRAM增长10-15% 分析师称过于保守

韩国电子公司三星宣布，预估今年DRAM出货量将增长10-15%，而NAND闪存出货则估计上涨25-30%。三星高层曾在4月表示，预估广泛用于个人电脑的DRAM芯片，在今(2009)年出货量将有10%-15%的增长，由去年10月的预估值降下来。在互联网上公开的简报文件显示，三星也预期专用于消费性电子设备的NAND，今年出货将增长25-30%。三星近两年来经历了...[详细]
台湾地区半导体产业发展模式面临挑战

台湾地区工研院IEK产业分析师李冠桦稍早前在一场研讨会上表示，2008～2013年之间，包含汽车、绿色节能/环保、生物医疗电子等应用，将成为驱动台湾地区半导体业成长的核心。比如“宅经济”带动对电玩游戏的需求；绿色环保所推动的新兴能源、油电混合车开发热潮等。此外，因高龄/少子化趋势应运而生的生物医学电子产品，在2008~2013年也预估将有8%的年复合成长率。而在信息与消费领域，李...[详细]
亚洲电子产品趋向简单实用只留最基本功能

金融危机波及全球，一些曾经高枕无忧的人如今也得为生计奔波。过去腰包满满时，他们不惜血本紧跟潮流；现在荷包缩水，他们只能精打细算，实用第一，缩减开支。　　受危机影响销量直线下跌的亚洲一些生产商也调整战略，推出简约产品以保销量。　　只保留最基本功能　　亚洲电子产品市场上涌现越来越多低价实用的产品，这些产品褪去以往华丽的外衣，只保留最基本功能，比如，缺少光驱等标准配置的笔记本电脑、...[详细]
海力士：DRAM内存价格上涨趋势将持续至下半年

韩国海力士半导体公司表示，近期DRAM内存芯片价格的上升趋势可能持续到09年下半年，营业收入可能较预期更早达到收支平衡。韩国海力士半导体公司（HynixSemiconductorInc.）19日表示，近期DRAM内存芯片价格的上升趋势可能持续到09年下半年。该公司的投资关系副总裁JamesKim在论坛上表示，电脑芯片市场的供需情况基本平衡，并且该公司的营业收入可能...[详细]
美研究人员称传统晶体管噪声理论存在缺陷？

美国国家标准与技术研究院的研究人员近日发出警告称，传统上对晶体管噪声的理解存在根本上的缺陷，并认为这种缺陷会阻碍更高效率、更低功耗设备的开发。由JasonCampbell带领的研究小组是在研究更小尺寸的晶体管的开闭状态间的影响关系时，发现了这一缺陷。他们声称，被广泛接受的用于解释由开闭过程中产生的电子噪声的理论模型实际上并不符合事实。几十年来，工程界已经普遍接受了这一理论模型，...[详细]
2009年4月液晶显示器代工与品牌出货量趋缓

根据集邦科技(DRAMeXchange)旗下液晶产业研究机构WitsView的全球液晶显示器SI出货量调查显示，由于库存回补热度逐渐进入尾声，终端实际销售力道趋缓，全球分销与品牌商出货量成长幅度正逐渐趋缓。WitsView指出，今年4月以来，液晶显示器面板的补货热度逐渐冷却，加上显示器面板价格逐步上扬，可看出2009年第一季下游超额下单的情况，并反映实际的市场需求。然而，面对终端...[详细]
中国半导体企业6月聚首深圳共论逆市中机遇

由深圳集成电路设计产业化基地管理中心和深圳市半导体行业协会承办的“2009第七届泛珠三角集成电路产业联谊暨市场创新应用研讨会”（以下简称：研讨会），将于2009年6月25-26日在深圳大学科技楼报告厅举行。预计将有100多家国内集成电路（IC）设计、制造和封装测试企业的高层相聚深圳，探讨中国半导体产业如何应对金融寒冬，通过国标市场和低成本创新市场等机遇实现逆风飞扬。每逢蝉鸣荔香的...[详细]

小广播

热搜元器件