Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P6SMB7.5-AU_R2_100A1

文档预览

P6SMB7.5-AU_R2_100A1: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.05V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小192KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

P6SMB7.5-AU_R2_100A1概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.05V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

P6SMB7.5-AU_R2_100A1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	8.25 V
最小击穿电压	6.75 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	AEC-Q101; TS 16949
最大重复峰值反向电压	6.05 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

P6SMB7.5-AU_R2_100A1文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P6SMB-AU SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

6.8 to 550 Volts

FEATURES

• For surface mounted applications in order to optimize board space.

• Low profile package

• Built-in strain relief

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Typical I

less than 1.0µA above 10V

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Fammability Classification 94V-O

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• Acqire quality system certificate : TS16949

• Manufactured in accordance with AECQ101

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

0.155(3.94)

0.083(2.11)

0.075(1.91)

0.185(4.70)

0.160(4.06)

0.096(2.44)

0.050(1.27)

0.030(0.76)

0.220(5.59)

0.200(5.08)

0.130(3.30)

0.012(0.305)

0.006(0.152)

0.083(2.13)

MECHANICAL DATA

• Case:JEDEC DO-214AA ,Molded plastic over passivated junction

• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750,Method 2026

• Polarity : Color band denotes cathode end

• Standard Packaging:12mm tape (EIA-481)

• Weight: 0.003 ounce, 0.093 gram

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000uS waveform (Notes 1,2, Fig.1)

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method) (Notes 2,3)

Peak Pulse Current on 10/1000us waveform(Note 1)Fig.3

Typical Thermal Resistance Junction to Air (Notes 2)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

P P M

F S M

P P M

J A

S T G

Value

600

100

see Table 1

-55 to +150

Units

Watts

Amps

C/W

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

= 25

C per Fig. 2.

2. Mounted on 5.0mm

(0.13mm thick) land areas.

3. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

March 14,2012-REV.05

PAGE . 1

推荐资源

单片机外围线路设计: 很不错的一个资料包括：按键电路设计，矩阵键盘设计， AD按键设计，按键复用设计，触摸按键设计可控硅电路设计隔离电路设计交直流检测电路设计交直流电机控制阻容降压电路 ......; tiankai001 单片机

WinCE5.0单击打开与双击打开桌面应用程序在哪里设置？: xp可以通过文件夹选项设置，WinCE在哪设置？...; cyllouis 嵌入式系统

TMS320F28379D SCID SCIB 的配置与使用: TI的官方例程里面只给了SCIA的配置而没有给其他的SCI的配置方法其实这些的配置都是一样的，下面以SCIB和SCID的配置为例并结合数据手册说明一下配置过程：至于一些参数为什么要向程序中那样配置 ......; 火辣西米秀 DSP 与 ARM 处理器

CPLD代码求助，在fit这一步报错: 初学CPLD，写了个小代码，但在编译到Fit这一步的时候报错： ERROR:Cpld:886 - Function block FB1 was too congested to route successfully. This occurs due to excessive (>= 50) produ ......; minthe FPGA/CPLD

【先楫HPM6750测评】16位ADC测试: HPM6750含有1 个 16 位 ADC，2MSPS 采样率，看起来挺诱人的，连线试试看。使用官方SDK中ADC16例程，翻出来古老的51开发板，使用里面的电位器模拟量，连线如下：632936632937 我想 ......; xiashuang 国产芯片交流

想学Linux下编程...怎样来开始?哪里有比较好的案例之类的东西?: 想学Linux下编程...怎样来开始?哪里有比较好的案例之类的东西?...; hoyden Linux开发

友达光电与长虹合资设立LCD面板后段模块厂

友达光电日前宣布，计划与四川长虹于四川省绵阳市高新区合资设立液晶电视面板后段模块厂。此投资案若经台湾地区当局通过，将是友达继大陆沿海布局华东、华南地区之后，深耕大西部与当地品牌紧密合作的后段模块厂。友达光电与四川长虹公司双方董事会通过，未来该合资公司初步将命名为长智光电(四川)有限公司，公司资本额初步订为人民币1亿元(约当美金1千5百万元)，友达持股比例为51%，四川长虹持股4...[详细]
茂德、TMC、尔必达金三角定调

茂德与台湾存储器公司(TMC)、尔必达(Elpida)三角关系逐渐拨云见日，茂德将以中科12寸厂为尔必达代工标准型DRAM产品，从65纳米制程技术开始，值得注意的是，茂德与海力士(Hynix)合作关系并未结束，为此三角关系埋下伏笔。此外，茂德中科12寸厂亦将作为TMC工程开发基地，茂德将提供12寸厂机台和人才，作为TMC开发DRAM技术平台，这亦破除市场质疑TMC没有厂房、但要做DRAM技...[详细]
Vishay首创将高、低MOSFET集成在同一封装

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出在一个封装内集成一对不对称功率MOSFET系列的首款产品---SiZ700DT。该款器件的推出将有助于减少DC-DC转换器中高边和低边功率MOSFET所占的空间。SiZ700DT采用6mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封装，在一个紧凑的器件内同时提供了低边和高边MOSFET，同时保持了低导通电阻和高最大...[详细]
氟橡胶密封的刻蚀机理和使用特性

半导体工业中的等离子加工对于氟橡胶真空密封是一个富有挑战性的环境。在高温和等离子条件下实现的密封能力对于使设备的运行时间和制造良率最大化是至关重要的。密封和各种等离子间的物理和/或化学相互作用，可能产生粒子或泄漏，导致橡胶密封变坏。温度影响密封的刻蚀速率，也一定会影响机械强度。目前在聚合物材料，密封制造和密封设计方面的改进已经得到了性能和寿命更佳的氟橡胶密封。本文中使用了半导体加...[详细]
金融危机给中国IC产业带来哪些机遇？

轰轰烈烈的世界金融危机给IC产业带来重挫。从2008年年底的怨声载道，到2009年年初的不知所措，IC产业人士的情绪已经低到谷底。然而，中国IC产业人士并没有束手待毙。在2009（第七届）泛珠三角集成电路创新应用展示暨高峰论坛上，众多专家齐声高呼：“金融危机对中国IC产业来说，是一个难得的机遇！”为何大家如此乐观？一起来看看专家们总结的中国IC产业“否极泰来”的种种依据。国标迎来发展元...[详细]
华虹NEC、深圳ICC携手共推多项目晶圆业务

2009年6月25日，“2009（第七届）泛珠三角集成电路创新应用展示暨高峰论坛”在深圳大学举行，在此会议上深圳集成电路设计产业化基地管理中心（以下简称深圳ICC）与上海华虹NEC电子有限公司(以下简称华虹NEC)举行了签约仪式。华虹NEC在此次签约仪式上与深圳ICC签署了为期两年的多项目晶圆(以下简称MPW)推广合作协议，以期更好地服务珠三角地区的IC设计公司，华虹NEC市场副总裁高峰...[详细]
美光推出新型34纳米高密度NAND产品

美光科技有限公司（纽约证券交易所股票代码：MU）今天宣布使用其屡获殊荣的34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。随着消费者需要更高的容量以便在越来越小的便携式电子设备中存储更多的音乐、视频、照片及应用程序，制造商需要一种存储解决方案，以实现所需的容量、性能和尺寸。美光的新型16Gb和32Gb的NAND芯片兼具大容量与高性能，为满足当今苛刻的便携式存储需求提供了令人信服的解决方案，该...[详细]
NEC和瑞萨合并后将保留双方的12寸工厂

NEC电子新任命的社长山口纯史表示，NEC电子和瑞萨科技(RenesasTechnology)在合并後，双方均会保留其先进的12寸厂。这两家亏损的半导体厂宣布合并计画以安度难关，因销售下滑速度较削减成本来得快，打压其投资新技术的能力。山口纯史在接受专访时表示，合并後新公司无需在NEC电子位于日本北部山形县的工厂，和瑞萨位在茨城县的工厂中做出选择。“原则上，两...[详细]
AMD芯片制造厂希望重新聚焦300mm晶元

为了满足日益增长的消费类技术的需求，半导体工业一直以来都是致力于通过更小的晶体管以及更大的晶元来满足这类需求。当然最重要的就是通过工艺的提升可以有效提升产量，并且可以减少工业生产中不可避免的浪费。近日AMD的芯片制造厂GLOBALFOUNDRIES生产部门技术科主任ThomasSonderman发出号召，重新将精力放在半导体工业操作的灵活性上，特别是在目前业界正承受着向450m...[详细]
三星和现代计划联合开发经济型智能汽车芯片

韩国政府16日宣布，韩国三星电子公司和现代汽车公司将联合开发用于经济型智能汽车的高级芯片。韩国知识经济部说，三星和现代两家公司此举将推动系统级芯片（SOC）的研发，该芯片是节能型汽车的主要部件。截至2010年8月，总计200亿韩元（1美元约合1295韩元）的投资将被用于开发智能钥匙、自动停车系统和电池感应芯片，其中韩国政府将负担90亿韩元。知识经济部一位官员表示，如果一...[详细]
半导体业10年来零增长代工业受惠景气复苏

里昂在最新出具的产业报告中指出，全球半导体产业在2001-2010年间增长率几近于0，表现远不如1980、1990年代。不过，受惠于整合组件大厂释单，晶圆代工业者的表现优于整体半导体业。里昂表示，全球半导体产业在2001年和2009年有两波大幅度拉回，2001-2010年之间，几乎可以说是零增长，表现不如1980、1990年代时平均14-15%的增长表现。不过，里昂指出...[详细]
iSuppli:半导体库存修正结束收入开始增长

据iSuppli公司，全球芯片库存在连续四个季度下降之后，已降到适当的水平，从而为下半年库存重建和销售增长铺平了道路。继2008年第三和第四季度分别下降2.2%和6.6%之后，全球半导体制造商的库存在今年第一和第二季度又分别下滑了15.1%和1.5%。iSuppli公司初步估计第二季度结束时的库存已降到249亿美元，而2008年第二季度曾创下326亿美元的高峰。“200...[详细]
多晶硅淘汰赛鸣枪价格逼近盈亏平衡点

价格的暴跌，迫使多晶硅企业将成本控制视为头等大事。金融危机以来，多晶硅从最高480美元/公斤急剧下跌至当前的70美元/公斤，直逼国内企业的成本线。　　在这期间，市场涌现新项目因过低收益率，不得不下马，而具成本优势的企业则逆市扩产，寡头垄断竞争格局苗头初现。　　两极分化　　7月10日，江苏大全集团公司宣布，位于万州的多晶硅一期1800吨扩建项目，已正式投产，加上现有产能，...[详细]
Titan混合信号平台支持台积电iPDK要求

芯片设计解决方案供应商微捷码（Magma®）设计自动化有限公司（纳斯达克代码：LAVA）日前宣布，微捷码Titan™混合信号平已通过台积电（TSMC）的检验，可支持台积电65纳米互操作工艺设计工具包（iPDK）的互操作性和精度要求。iPDK消除了开发和使用多个专用的PDK和设计数据库的需要，实现了对设计数据的充分重复使用。Titan先进功能与iPDK所提供的精确工艺模型和工艺数据的完美结合...[详细]
恩智浦半导体2009年第二季度业务表现出色

恩智浦半导体（NXPSemiconductors）日前宣布，在全球供应链补给以及中国市场需求上涨两大因素的推动下，2009年第二季度销售额为8.57亿美元*，与第一季度的6.73亿美元**相比，上升26.2%。2009年第二季度调整后未计利息税收折旧和摊销前收益（EBITDA，不包含购买会计法及附带事项的影响）为8,900万美元，而第一季度为亏损7,100万美元。2009年第...[详细]

小广播

热搜元器件