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MD200S18M3

产品描述Glass Passivated Three Phase Rectifier Bridge
文件大小76KB,共3页
制造商爱普特半导体(APTSEMI)
江苏爱普特半导体有限公司是由扬州扬杰电子科技股份有限公司投资控股的一家专业设计、制造和销售拥有自主知识产权的新型电力电子模块和半导体智能器件的高科技企业。产品包括:IGBT、MOSFET、FRED、晶闸管、整流等功率模块及其半导体器件,具备年产各类功率模块300万件的生产能力,是目前国内的电力电子功率模块生产基地之一。公司产品可广泛用于功率范围0.5KW~1MW的不同领域,包括变频器、电焊机、感应加热、不间断电源、变频空调、电动汽车、机车牵引、太阳能、风能发电、充电装置、智能电网、家用电器、医疗设备等等。
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MD200S18M3概述

Glass Passivated Three Phase Rectifier Bridge

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MD200S18M3
Glass Passivated Three
Phase Rectifier Bridge
V
RRM
800 to 1800V
I
D
200 Amp
Applications
Three phase rectifiers for power supplies
Rectifiers for DC motor field supplies
Battery charger rectifiers
Input rectifiers for variable frequency drives
Circuit
+
~
~
~
-
Module Type
TYPE
MD200S08M3
MD200S12M3
MD200S16M3
MD200S18M3
Features
Three phase bridge rectifier
Blocking voltage:800 to 1800V
Heat transfer through aluminum oxide DBC
ceramic isolated metal baseplate
Glass passivated chip
UL recognized applied for file no. E360040
V
RRM
800V
1200V
1600V
1800V
V
RSM
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
I
D
I
FSM
i
2
t
Visol
Tvj
Tstg
Mt
Ms
Weight
Conditions
Three phase, full wave
Tc=100℃
t=10mS Tvj =45℃
t=10mS Tvj =45℃
a.c.50HZ;r.m.s.;1min
Values
200
2240
25000
3000
-40 to +150
-40 to +125
5±15%
5±15%
230
Units
A
A
A
2
s
V
Nm
Nm
g
To terminals(M6)
To heatsink(M6)
Module (Approximately)
Thermal Characteristics
Symbol
Rth(j-c)
Rth(c-s)
Per diode
Conditions
Values
0.45
0.025
Units
℃/W
℃/W
Module (Approximately)
Electrical Characteristics
Symbol
V
FM
I
RD
T=25℃ I
F
=300A
T
vj
=25℃ V
RD
=V
RRM
T
vj
=150℃ V
RD
=V
RRM
Conditions
Values
Min.
Typ.
1.45
Max.
1.70
0.5
6
Units
V
mA
mA
Document Number: S-M0023
Rev.1.0, May.31, 2013
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