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MD120C12D1

产品描述Glass Passivated Rectifier Diode Modules
文件大小85KB,共3页
制造商爱普特半导体(APTSEMI)
江苏爱普特半导体有限公司是由扬州扬杰电子科技股份有限公司投资控股的一家专业设计、制造和销售拥有自主知识产权的新型电力电子模块和半导体智能器件的高科技企业。产品包括:IGBT、MOSFET、FRED、晶闸管、整流等功率模块及其半导体器件,具备年产各类功率模块300万件的生产能力,是目前国内的电力电子功率模块生产基地之一。公司产品可广泛用于功率范围0.5KW~1MW的不同领域,包括变频器、电焊机、感应加热、不间断电源、变频空调、电动汽车、机车牵引、太阳能、风能发电、充电装置、智能电网、家用电器、医疗设备等等。
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MD120C12D1概述

Glass Passivated Rectifier Diode Modules

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MD120C18D1
Glass Passivated Rectifier
Diode Modules
V
RRM
800 to 1800V
I
FAV
120 Amp
Applications
Non-controllable rectifiers for AC/AC
converters
Line rectifiers for transistorized AC motor
controllers
Field supply for DC motors
Circuit
Features
Blocking voltage:800 to 1800V
Heat transfer through aluminum oxide DBC
ceramic isolated metal baseplate
Glass passivated chip
UL recognized applied for file no. E360040
Module Type
TYPE
MD120C08D1
MD120C12D1
MD120C16D1
MD120C18D1
MD120A08D1
MD120A12D1
MD120A16D1
MD120A18D1
MD120K08D1
MD120K12D1
MD120K16D1
MD120K18D1
V
RRM
800V
1200V
1600V
1800V
V
RSM
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Single phase ,half wave 180°conduction Tc=106℃
I
FAV
t=10mS Tvj =45℃
I
FSM
2
t=10mS Tvj =45℃
it
a.c.50HZ;r.m.s.;1min
V
isol
T
vj
T
stg
Mt
Ms
Weight
To terminals(M5)
To heatsink(M6)
Values
120
2800
39200
3000
-40 to +150
-40 to +125
3±15%
5±15%
100
Units
A
A
A
2
s
V
Nm
Nm
g
Module (Approximately)
Thermal Characteristics
Symbol
Per diode
R
th(j-c)
Module
R
th(c-s)
Electrical Characteristics
Symbol
V
FM
I
RD
T=25℃ I
F
=300A
Conditions
Values
0.26
0.1
Units
℃/W
℃/W
Conditions
T
vj
=150℃ V
RD
=V
RRM
Values
Min.
Typ.
1.20
Max.
1.35
6
Units
V
mA
Document Number: S-M0005
Rev.1.0, May.31, 2013
www.apt-semi.com
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