Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | VFBGA, BGA64,10X14,20 |
针数 | 64 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 100 ns |
其他特性 | BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE |
启动块 | BOTTOM |
命令用户界面 | YES |
通用闪存接口 | YES |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B64 |
内存密度 | 536870912 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 4,511 |
端子数量 | 64 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -25 °C |
组织 | 32MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装等效代码 | BGA64,10X14,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 1.8 V |
编程电压 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1 mm |
部门规模 | 16K,64K |
最大待机电流 | 0.00003 A |
最大压摆率 | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
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