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K8S1215EBC-SE1D0

产品描述Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64
产品类别存储    存储   
文件大小667KB,共83页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准  
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K8S1215EBC-SE1D0概述

Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64

K8S1215EBC-SE1D0规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA64,10X14,20
针数64
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间100 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B64
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模4,511
端子数量64
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织32MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA64,10X14,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1 mm
部门规模16K,64K
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.5 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
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