EEPROM, 2KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) |
零件包装代码 | QFJ |
包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 150 ns |
其他特性 | AUTOMATIC WRITE |
命令用户界面 | NO |
数据轮询 | YES |
耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 13.97 mm |
内存密度 | 16384 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 2048 words |
字数代码 | 2000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 2KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCN |
封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度 | 2.54 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.045 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
切换位 | NO |
宽度 | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 1 ms |
AT28C17-15LM/883 | AT28C17F-25WC | AT28C17E-25WC | AT28C17-25WC | AT28C17-25LM/883 | AT28C17-20LM/883 | |
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描述 | EEPROM, 2KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, DIE | EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, DIE | EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, DIE | EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | EEPROM, 2KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
零件包装代码 | QFJ | DIE | DIE | DIE | QFJ | QFJ |
包装说明 | QCCN, LCC32,.45X.55 | DIE, | DIE, | DIE, | QCCN, LCC32,.45X.55 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
针数 | 32 | 25 | 25 | 25 | 32 | 32 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C | EAR99 | EAR99 | EAR99 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 150 ns | 250 ns | 250 ns | 250 ns | 250 ns | 200 ns |
其他特性 | AUTOMATIC WRITE | AUTOMATIC WRITE | AUTOMATIC WRITE | AUTOMATIC WRITE | AUTOMATIC WRITE | AUTOMATIC WRITE |
JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 | R-XUUC-N25 | R-XUUC-N25 | R-XUUC-N25 | R-CQCC-N32 | R-CQCC-N32 |
内存密度 | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 32 | 25 | 25 | 25 | 32 | 32 |
字数 | 2048 words | 2048 words | 2048 words | 2048 words | 2048 words | 2048 words |
字数代码 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 125 °C | 125 °C |
组织 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCN | DIE | DIE | DIE | QCCN | QCCN |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
编程电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | MILITARY | MILITARY |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | QUAD | UPPER | UPPER | UPPER | QUAD | QUAD |
厂商名称 | Atmel (Microchip) | - | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) |
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