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HY5DU561622CLF-M

产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
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文件大小339KB,共36页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5DU561622CLF-M概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60

HY5DU561622CLF-M规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度13 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA60,9X12,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.17 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.27 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm

HY5DU561622CLF-M相似产品对比

HY5DU561622CLF-M HY5DU561622CF-M HY5DU56822CLF-M HY5DU56422CF-M HY5DU56822CF-M
描述 DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TBGA, BGA60,9X12,40/32 TBGA, BGA60,9X12,40/32 TBGA, BGA60,9X12,40/32 TBGA, BGA60,9X12,40/32 TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数 60 60 60 60 60
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.75 ns 0.75 ns 0.75 ns 0.75 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz 133 MHz 133 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60
长度 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16 8 4 8
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 60 60 60 60 60
字数 16777216 words 16777216 words 33554432 words 67108864 words 33554432 words
字数代码 16000000 16000000 32000000 64000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16MX16 16MX16 32MX8 64MX4 32MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA
封装等效代码 BGA60,9X12,40/32 BGA60,9X12,40/32 BGA60,9X12,40/32 BGA60,9X12,40/32 BGA60,9X12,40/32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.17 mm 1.17 mm 1.17 mm 1.17 mm 1.17 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES
连续突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最大压摆率 0.27 mA 0.27 mA 0.27 mA 0.27 mA 0.27 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
厂商名称 SK Hynix(海力士) - SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)

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