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MT2LDT132HG-6XS

产品描述EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
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文件大小315KB,共26页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT2LDT132HG-6XS概述

EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72

MT2LDT132HG-6XS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM-72
针数72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
备用内存宽度16
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N72
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度32
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度25.654 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0003 A
最大压摆率0.34 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MT2LDT132HG-6XS相似产品对比

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描述 EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72 EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72 Temperature Compensated Crystal Oscillator EDO DRAM Module, 1MX32, 50ns, CMOS, DIMM-72 EDO DRAM Module, 2MX32, 50ns, CMOS, DIMM-72 EDO DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, DIMM-72
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology - Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 DIMM DIMM - DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM-72 DIMM-72 - DIMM-72 DIMM-72 DIMM-72
针数 72 72 - 72 72 72
Reach Compliance Code unknown not_compliant - unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO - FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 60 ns - 50 ns 50 ns 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH - RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
备用内存宽度 16 16 - 16 16 16
I/O 类型 COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N72 R-XDMA-N72 - R-XDMA-N72 R-XDMA-N72 R-XDMA-N72
内存密度 33554432 bit 134217728 bit - 33554432 bit 67108864 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE - EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 32 32 - 32 32 32
湿度敏感等级 1 1 - 1 1 1
功能数量 1 1 - 1 1 1
端口数量 1 1 - 1 1 1
端子数量 72 72 - 72 72 72
字数 1048576 words 4194304 words - 1048576 words 2097152 words 4194304 words
字数代码 1000000 4000000 - 1000000 2000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX32 4MX32 - 1MX32 2MX32 4MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM - DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM72 DIMM72 - DIMM72 DIMM72 DIMM72
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 - 225 225 225
电源 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 2048 - 1024 1024 2048
座面最大高度 25.654 mm 25.654 mm - 25.654 mm 25.654 mm 25.654 mm
自我刷新 YES YES - YES YES YES
最大待机电流 0.0003 A 0.0012 A - 0.0003 A 0.0006 A 0.0012 A
最大压摆率 0.34 mA 0.8 mA - 0.36 mA 0.362 mA 0.88 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V - 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V - 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO - NO NO NO
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD - NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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