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70P254L55BYGI: 产品描述CABGA-81, Tray; 产品类别存储存储; 文件大小318KB，共15页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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70P254L55BYGI概述

CABGA-81, Tray

70P254L55BYGI规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Integrated Device Technology
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	CABGA
包装说明	BGA, BGA81,9X9,20
针数	81
制造商包装代码	BYG81
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B81
JESD-609代码	e1
内存密度	131072 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	81
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	8KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA81,9X9,20
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.000006 A
最大压摆率	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.5 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30

70P254L55BYGI相似产品对比

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描述	CABGA-81, Tray	CABGA-81, Tray	CABGA-81, Tray	CABGA-81, Tray	CABGA-81, Tray
Brand Name	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA
包装说明	BGA, BGA81,9X9,20	BGA, BGA81,9X9,20	BGA, BGA81,9X9,20	BGA, BGA81,9X9,20	BGA, BGA81,9X9,20
针数	81	81	81	81	81
制造商包装代码	BYG81	BYG81	BYG81	BYG81	BYG81
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	55 ns	55 ns	40 ns	40 ns	55 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B81	S-PBGA-B81	S-PBGA-B81	S-PBGA-B81	S-PBGA-B81
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1
内存密度	131072 bit	65536 bit	131072 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16
湿度敏感等级	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2
端子数量	81	81	81	81	81
字数	8192 words	4096 words	8192 words	16384 words	16384 words
字数代码	8000	4000	8000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	8KX16	4KX16	8KX16	16KX16	16KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA81,9X9,20	BGA81,9X9,20	BGA81,9X9,20	BGA81,9X9,20	BGA81,9X9,20
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.000006 A	0.000006 A	0.000006 A	0.000006 A	0.000006 A
最大压摆率	0.025 mA	0.025 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30
Base Number Matches	-	1	1	1	1

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