Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P6KE27A_AY_10001

文档预览

P6KE27A_AY_10001: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 23.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小238KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

P6KE27A_AY_10001在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	P6KE27A_AY_10001	-	-	点击查看	点击购买

P6KE27A_AY_10001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 23.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15,

P6KE27A_AY_10001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, UL RECONGNIZED
最大击穿电压	28.4 V
最小击穿电压	25.7 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-15
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	23.1 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

P6KE27A_AY_10001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P6KE SERIES

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

6.8 to 550 Volts

Recongnized File # E210467

1.0(25.4)MIN.

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• 600W surge capability at 1ms

• Excellent clamping capability

• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min

• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives

• Low zener impedance

0.034(0.86)

0.028(0.71)

0.300(7.6)

0.230(5.8)

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-15 Molded plastic

• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Mounting Position: Any

• Weight: 0.015 ounce, 0.4 gram

1.0(25.4)MIN.

0.140(3.6)

0.104(2.6)

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Power Dissipation on T

=25

C, T

=1ms (Notes 1)

Typical Thermal Resistance (Notes 2)

Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave

Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) (Notes 3)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

θJ

θJC

PPM

F S M

S TG

Value

600

see Table

100

-65 to +175

Units

Watts

C/W

Amps

2. Mounted on 48cm

FR-4 PCB.

3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

NOTES :

1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C per Fig. 2.

4. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or greater than the DC

or continuous peak operating voltage level.

November 15,2012-REV.07

PAGE . 1

推荐资源

半球牌BC-175型电冰箱电路

超声波测距仪的硬件电路图

高性能的天线放大器电路d

传感器与OP196／296／496型电源正负限输入输出运算放大电路

投射灯稳压电路

改善输出波形的无稳态电路

关于STD_LOGIC_VECTOR宽度的问题: STD_LOGIC_VECTOR允许定义的宽度（多少个二进制数），希望大家帮忙回答下，谢谢...; eeleader FPGA/CPLD

蜜袋鼯第⑩贴基于RSL10的蜜袋鼯健康监测系统-上位机设计: 前言在项目简介一贴中介绍了本项目的目标，其中第二个和第三个分别为: 2、运动健康数据分析：由于小蜜活动时间都是在夜里，这时候我们都是在睡觉的，那么想要知道它一晚上玩的开心与否， ......; justd0 物联网大赛方案集锦

关于2407A程序烧写（请版主再次指教）: 请老师指教一下，我现在烧不了程序了。 Error: Read status value 0x0001 from symbol PRG_status Flash algorithm failed during clear operation 这是提示的错误信息。 MEMORY { ......; sure549 微控制器 MCU

单片机读写SIM卡电话本: 单片机对SIM卡的操作已经知道了，关键是SIM卡中电话本存储在哪儿不太清楚，看了写资料说是可以进入SIM卡菜单，请问哪位大侠做过的能否介绍一下，谢谢...; jsxsd 嵌入式系统

DSP技术与应用: 1475914760...; sdjntl DSP 与 ARM 处理器

请教:我在EVC里开发应用程序,如何对BMP图片进行缩放: 我的项目换了个大的LCD屏,由原来的480*272换成720*480的屏的驱动已经OK,WINCE的界面能够自动缩放成符合720*480的屏大小,但是我用EVC写的应用程序界面还是480*272的,我想不改界面图片,让它缩放 ......; unicorn06 嵌入式系统

安森美公布2025二季度财报，战略部署正在持续转型

日前，安森美公布了2025年第二季财报。第二季度收入为14.687亿美元，同比降低16%，环比增长1.6%。“我们正在进行的转型使业务模式更加可预测，体现了我们战略的有效性以及对长期价值创造的承诺。我们开始看到终端市场的稳定迹象，并已做好准备从市场复苏中受益。”安森美总裁兼首席执行官HassaneEl-Khoury表示，“在执行短期优先事项的同时，我们也通过对下一代技术的投资，为公司的长期增...[详细]
高带宽内存（HBM）完全指南

在当下这个数据密集型应用爆发的时代，从人工智能、机器学习，到高性能计算（HPC）与游戏领域，传统内存架构的性能极限正不断被突破，而高带宽内存（HBM）凭借高性能、低功耗的特性，成为了新一代存储解决方案。随着各行业对高速、高吞吐量数据处理的需求持续攀升，深入理解HBM的架构设计、核心优势，以及它在下一代系统中的演进定位，已成为行业发展的关键前提。本文将深入解析HBM的工作原理，对比其...[详细]
我该何时转向多裸片封装方案？

文章编译自Semiengineering随着芯片设计规模不断扩大、复杂度持续提升，尤其是面向人工智能（AI）和高性能计算（HPC）负载的芯片，将所有功能集成在单一平面裸片上往往不再具备可行性。但确定何时转向多裸片（Die）封装方案，并非总是一个简单直接的决策。多裸片技术的优势已有详实的行业论证。该技术允许设计人员将不同功能拆分至独立裸片，有助于提升生产良率；同时可针对部分功能模块采用...[详细]
单碟存360TB、寿命达138亿年，SPhotonix 5D玻璃存储技术启动数据中心落地计划

12月15日消息，英国初创公司SPhotonix在接受《TheRegister》采访时表示，其所谓的“5D记忆晶体”技术已走出实验室，正加速迈向现实世界部署。该公司计划在未来两年内，在数据中心试点基于玻璃的冷存储系统。SPhotonix成立于2024年，脱胎于南安普顿大学的相关研究成果。该公司在宣布这一消息的同时，还公布了首轮外部融资的细节。该公司的存储介质采用熔融石英...[详细]
印度推出一款基于RISC-V的宽带网络SoC

印度无晶圆厂半导体初创企业AheesaDigitalInnovations已完成一款本土设计、基于RISC-V架构的宽带网络片上系统（SoC）的流片工作，该芯片命名为VIHAAN-I，专为电信运营商向家庭和办公场所提供最后一公里连接的光纤接入网络打造。这款芯片适用于千兆无源光网络（GPON）和以太网无源光网络（EPON）的光网络终端应用，将作为Aheesa旗下Seshn...[详细]
消息称台积电2nm产能已被预订一空，英伟达有望“弯道超车”率先用上A16制程

2月2日消息，据中国台湾地区媒体《工商时报》报道，在全球AI与HPC芯片竞赛迈入2nm之际，台积电启动“备战模式”。英伟达CEO黄仁勋昨日与台积电董事长魏哲家、副总经理秦永沛等人聚餐，市场认为AI巨头之间的“先进制程大战”一触即发。业界预计，AMD将从今年起使用2nm制程工艺打造CPU，谷歌则是明年第三季度，英伟达则有望“弯道超车”，率先用上A16制程。...[详细]
SK 海力士被曝为微软 Maia 200 AI 芯片独家内存供应商，股价大涨 8.7% 创历史新高

1月28日消息，当地时间周一，微软发布了新一代AI加速器Maia200。微软将其称为“所有超大规模云服务商中性能最强的自研芯片”，并透露该款芯片已在爱荷华州数据中心投入使用，未来还将部署到更多区域。据韩国《每日经济新闻》报道，SK海力士将独家向微软Maia200供应HBM芯片，每颗Maia200都将使用六颗SK海力士的HBM3E内存。SK海力士方面表示...[详细]
共建产业生态，深耕技术创新，安谋科技携前沿成果亮相ICCAD 2024

12月11日至12日，作为中国半导体行业备受瞩目的年度盛会，上海集成电路2024年度产业发展论坛暨中国集成电路设计业展览会（ICCAD2024）在上海世博展览馆成功举办。国内芯片产业链上游的领军企业安谋科技今年再度受邀出席，携旗下一系列前沿技术方案及合作成果精彩亮相，并在高峰论坛和“IP与IC设计服务专题论坛(II)”上发表主题演讲，与众多产业链上下游的企业代表、专家学者展开深入交流，共话半导...[详细]
立讯精密宣布终止收购印度闻泰资产，仲裁追讨 1.53 亿元款项

1月14日消息，立讯精密1月13日晚公告称，由于印度闻泰相关资产存在包括资产查封、冻结等在内的交割受限情形，导致无法办理权属变更手续，相关资产交易尚未完成权属交割。基于前述因交易对方原因导致的实质性交割障碍，本次印度资产转让协议的合同目的已无法实现。立讯精密表示，为维护公司及全体股东利益，公司之全资子公司LuxshareLantoIndiaPrivateLimited（“L...[详细]
历时一个多月，三星印度工厂工人结束罢工

10月16日消息，三星电子印度分公司周二表示，该公司印度南部泰米尔纳德邦工厂的工人已决定结束罢工，但未透露和解条款。这次罢工得到了印度全国贸易联盟中心（CITU）的支持，是近年来印度最大的劳资纠纷之一，给印度总理纳伦德拉・莫迪吸引投资者在当地进行制造业投资的努力蒙上了阴影。三星印度表示，该公司对CITU决定结束罢工表示欢迎。该工厂雇用了约1800名正式员工，生产冰箱、电视机和洗...[详细]
芯联集成三季度实现毛利率转正

公司三季度实现毛利率转正，单季度毛利率约为6%。2024年10月13日，芯联集成发布2024年前三季度业绩预告。公司营收、净利润、EBITDA(息税折旧摊销前利润)等指标均保持高增长，这也是公司自去年5月份上市来一贯保持的业绩增速节奏。公司预计2024年前三季度：营业收入约为45.47亿元，同比增加约7.16亿元，增长约18.68%；归母净利润约为-6.84亿元，同比减亏...[详细]
博通推出行业首个 3.5D F2F 封装技术，将用于富士通 2nm MONAKA 处理器

12月6日消息，博通当地时间昨日宣布推出行业首个3.5DF2F封装技术3.5DXDSiP平台。3.5DXDSiP可在单一封装中集成超过6000mm2的硅芯片和多达12个HBM内存堆栈，可满足大型AI芯片对高性能低功耗的需求。具体来看，博通的3.5DXDSiP在2.5D封装之外还实现了上下两层芯片顶部金属层的直接连接（IT之家注：即3D混合铜键...[详细]
贸泽电子与Analog Devices和Bourns联手发布全新电子书

探讨基于GaN的电力电子器件的优势2024年12月3日–专注于推动行业创新的知名新品引入(NPI)代理商™贸泽电子(MouserElectronics)宣布与AnalogDevices,Inc.(ADI)和Bourns合作推出全新电子书，探讨氮化镓(GaN)在效率、性能和可持续性方面的优势，以及发挥这些优势所面临的挑战。《10ExpertsD...[详细]
AI计算时代，为什么Arm独具优势？

“预计到2025年底，全球将有超过1000亿台具备AI能力的Arm设备。”Arm基础设施事业部产品解决方案副总裁DermotO’Driscoll在ArmTechSymposia2024年度技术大会主题演讲如是说。随着AI发展渐深，我们正身处AI爆发的新时代。对许多人而言，更多感知到的是ChatGPT，但实际上AI的潜力和颠覆性并不止如此。比如说，DeepMind最近使用AI预测...[详细]
贸泽电子与Analog Devices联手推出新电子书

探讨电子设计中的电源效率与稳健性2024年11月13日–专注于推动行业创新的知名新品引入(NPI)代理商™贸泽电子(MouserElectronics)宣布与AnalogDevices,Inc.(ADI)联手推出一本新电子书，重点介绍优化电源系统的基本策略。在《PoweringtheFuture:AdvancedPowerSolutionsforEff...[详细]

小广播

热搜元器件