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AM9214CM

产品描述MASK ROM, 512X8, 500ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24
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文件大小179KB,共6页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM9214CM概述

MASK ROM, 512X8, 500ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24

AM9214CM规格参数

参数名称属性值
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间500 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T24
长度30.099 mm
内存密度4096 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数512 words
字数代码512
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512X8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm

AM9214CM相似产品对比

AM9214CM AM35141DC AM35142DC AM9214CC AM9214DC AM35141CC AM35142CC AM9214DM
描述 MASK ROM, 512X8, 500ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 700ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 1000ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 500ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 500ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 700ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 1000ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 500ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24
厂商名称 AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微)
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP, DIP, DIP, DIP, DIP, DIP, DIP,
针数 24 24 24 24 24 24 24 24
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 500 ns 700 ns 1000 ns 500 ns 500 ns 700 ns 1000 ns 500 ns
JESD-30 代码 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24
长度 30.099 mm 30.099 mm 30.099 mm 30.099 mm 30.099 mm 30.099 mm 30.099 mm 30.099 mm
内存密度 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24 24 24 24
字数 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words
字数代码 512 512 512 512 512 512 512 512
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 125 °C
组织 512X8 512X8 512X8 512X8 512X8 512X8 512X8 512X8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm

 
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