电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

AM35141CC

产品描述MASK ROM, 512X8, 700ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24
产品类别存储    存储   
文件大小179KB,共6页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

AM35141CC概述

MASK ROM, 512X8, 700ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24

AM35141CC规格参数

参数名称属性值
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间700 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T24
长度30.099 mm
内存密度4096 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数512 words
字数代码512
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512X8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm

AM35141CC相似产品对比

AM35141CC AM35141DC AM35142DC AM9214CC AM9214DC AM35142CC AM9214CM AM9214DM
描述 MASK ROM, 512X8, 700ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 700ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 1000ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 500ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 500ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 1000ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 500ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24 MASK ROM, 512X8, 500ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-24
厂商名称 AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微)
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP, DIP, DIP, DIP, DIP, DIP, DIP,
针数 24 24 24 24 24 24 24 24
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 700 ns 700 ns 1000 ns 500 ns 500 ns 1000 ns 500 ns 500 ns
JESD-30 代码 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24 R-CDIP-T24
长度 30.099 mm 30.099 mm 30.099 mm 30.099 mm 30.099 mm 30.099 mm 30.099 mm 30.099 mm
内存密度 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24 24 24 24 24
字数 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words 512 words
字数代码 512 512 512 512 512 512 512 512
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C
组织 512X8 512X8 512X8 512X8 512X8 512X8 512X8 512X8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
空载检测原理,哪个看懂了的    解答一下 
空载检测原理,哪个看懂了的解答一下...
QWE4562009 电路观察室
【回顾2022展望2023】安全第一健康是福
回顾2022,觉得最重要的两点就是标题:安全第一,健康是福。这一年,我们这一个小小的小县城,火灾,车祸发生了不知多少起。有段时间严重到一天三起一周五起火灾,车祸更是三天两头。我家大娃有两回都差点被车撞了,我,我家那位,我婆婆也都有碰到。一直交通很混乱,这两年为了增收,几乎条条路边都被设成了付费停车。在本来我们这就一开始就没怎么规划停车位但是车又特别多的情况下(我们这边以前流行房子可以没有,车必须备...
okhxyyo 聊聊、笑笑、闹闹
[ ST NUCLEO-U575ZI-Q 测评] 转STM32CubeIDE代码提示如何安装
安装好的STM32CubeIDE,发现没有代码提示功能。找了好久,这位大佬的新测可以用。分享帖子给大家:https://blog.csdn.net/qq_23127707/article/details/112002621...
lugl4313820 stm32/stm8
交流输入需要考虑并联均流吗?
如上图所示,由于单线16A限制,交流用一根线功率不够,现在用两根线并联,连接到端子排上,然后从端子排上再分四路给四个开关电源供电,在这种方式下,需要考虑输入端交流的均流问题吗?...
S3S4S5S6 电源技术
回顾2022展望2023+时间过的真快呀
时间过得真是快,转眼娃娃会走路讲话了●你的2022年是如何度过的出差60天,游了西湖,桂林,夫子庙,完美躲避了疫情;阅读了linux 2.6源码;玩了几块板子;截止目前没有🐏;●定下你的2023年的年度目标和计划认真阅读关于网络方面的3本书;继续抽空积极参加论坛活动;●说一说对EEWorld 的新期望期望EEWorld有更多好玩的活动,各位管管、E友幸福安康!...
dql2016 聊聊、笑笑、闹闹
第二代骁龙8助力努比亚Z50打造全新光学影像旗舰
12月19日,努比亚正式发布了新一代印象功能旗舰手机努比亚 Z50。作为努比亚下一个十年的开篇,努比亚 Z50新升级的35毫米定制光学系统拥有强大的第二代骁龙 8移动平台,精心打造了业界领先的新旗舰,为用户提供了专业的手机印象体验。  最好的功能是强大旗舰体验的基础。努比亚 Z50搭载强大的第二代骁龙 8,采用业界领先的4纳米工艺流程,将新Kryo CPU的超大型核心提升到Cortex-X3,CP...
scdd 聊聊、笑笑、闹闹

开源项目推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 767  930  1115  1535  1690 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved