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W3EG2256M72ASSR263BJD3ISG

产品描述DDR DRAM Module, 512MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184
产品类别存储    存储   
文件大小309KB,共14页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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W3EG2256M72ASSR263BJD3ISG概述

DDR DRAM Module, 512MX72, 0.75ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184

W3EG2256M72ASSR263BJD3ISG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1889323608
包装说明DIMM,
Reach Compliance Codeunknown
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N184
JESD-609代码e4
内存密度38654705664 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
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