NT5TU256M4CE-3C,NT5TU256M4CE-3C pdf中文资料,NT5TU256M4CE-3C引脚图,NT5TU256M4CE-3C电路-Datasheet-电子工程世界

NT5TU256M4CE-3C: 产品描述DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, BGA-60; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共79页; 制造商南亚科技(Nanya); 官网地址http://www.nanya.com/cn; 标准; 南亚科技股份有限公司以成为最佳DRAM(动态随机存取记忆体)之供应商为目标，强调以服务客户为导向，透过与夥伴们紧密的合作，强化产品的研发与制造，进而提供客户全方位产品及系统解决方案。面对持续成长的利基型DRAM市场，南亚科技除了提供从128Mb到8Gb产品，更持续拓展产品多元化。主要的应用市场包括数位电视、机上盒(STB)、网通、平板电脑等智慧电子系统、车用及工规等产品。同时，为满足大幅成长的行动与穿戴装置市场需求，南亚科技更专注於研发及制造低功耗记忆体产品。近年来，南亚科技积极经营利基型记忆体市场，专注於低功耗与客制化核心产品线的研发。在制程进度上，更导入20奈米制程技术，致力於生产DDR4和LPDDR4产品，期能进一步提升整体竞争力。南亚科技也将持续强化高附加价值利基型记忆体战线与完美的客户服务，强化本业营运绩效，确保所有股东权益，创造企业永续经营之价值。

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NT5TU256M4CE-3C概述

DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, BGA-60

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	南亚科技(Nanya)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数	60
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	13 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	256MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA60,9X11,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大压摆率	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	9 mm

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