Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> VR7EU287258FBB

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VR7EU287258FBB: 产品描述DDR DRAM Module, 128MX72, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240; 产品类别存储存储; 文件大小275KB，共24页; 制造商光颉(Viking); 官网地址http://www.viking.com.tw/; 标准; 光颉科技于1997年10月成立于新竹科学园区，是中国台湾第一家结合薄膜/厚膜的制程技术与高频被动组件/模块设计开发能力的专业厂商，拥有优越的技术研发团队，致力于薄膜的制程技术研发与高频组件/模块整合的设计开发，提供符合系统产品高频化与小型化需求的整合型被动组件与高频模块等关键零组件，成功整合了电阻/电容/电感/二极管等等被动组件(Integrated Passive Devices, IPDs), 可被广泛应用在移动式个人电子产品的静电防制及电磁滤波(ESD & EMI Filter)等等。

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VR7EU287258FBB概述

DDR DRAM Module, 128MX72, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

VR7EU287258FBB规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	光颉(Viking)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM,
针数	240
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.3 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
JESD-30 代码	R-XDMA-N240
长度	133.35 mm
内存密度	9663676416 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	240
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	128MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
座面最大高度	29.972 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	3.81 mm

VR7EU287258FBB文档预览

DDR3

UNBUFFERED DIMM

VR7EUxxxx58xxx

Module Configuration Non-ECC

Viking Part Number

VR7EU286458FBZ

VR7EU286458FBA

VR7EU286458FBB

VR7EU286458FBC

VR7EU286458FBD

VR7EU286458FBE

VR7EU566458GBZ

VR7EU566458GBA

VR7EU566458GBB

VR7EU566458GBC

VR7EU566458GBD

VR7EU566458GBE

VR7EU566458FBZ

VR7EU566458FBA

VR7EU566458FBB

VR7EU566458FBC

VR7EU566458FBD

VR7EU566458FBE

VR7EU126458GBZ

VR7EU126458GBA

VR7EU126458GBB

VR7EU126458GBC

VR7EU126458GBD

VR7EU126458GBE

Capacity

1GB

2GB

4GB

Module

Configuration

128Mx64

256Mx64

512Mx64

Device

Configuration

128Mx8 (8)

256Mx8 (8)

128Mx8 (16)

256Mx8 (16)

Device Package

TFBGA

Module

Ranks

Performance

PC3-6400

PC3-8500

PC3-10600

PC3-6400

PC3-8500

PC3-10600

PC3-6400

PC3-8500

PC3-10600

PC3-6400

PC3-8500

PC3-10600

CAS Latency

CL6 (6-6-6)

CL7 (7-7-7)

CL8 (8-8-8)

CL9 (9-9-9)

CL10 (10-10-10)

CL6 (6-6-6)

CL7 (7-7-7)

CL8 (8-8-8)

CL9 (9-9-9)

CL10 (10-10-10)

CL6 (6-6-6)

CL7 (7-7-7)

CL8 (8-8-8)

CL9 (9-9-9)

CL10 (10-10-10)

CL6 (6-6-6)

CL7 (7-7-7)

CL8 (8-8-8)

CL9 (9-9-9)

CL10 (10-10-10)

Viking Modular Solutions♦20091 Ellipse♦Foothill Ranch, CA 92610

Tel (800) 338-2361 Fax (949) 666-8159♦Website: http://www.vikingmodular.com

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DDR3

UNBUFFERED DIMM

VR7EUxxxx58xxx

Module Configuration ECC

Viking Part Number

VR7EU287258FBZ

VR7EU287258FBA

VR7EU287258FBB

VR7EU287258FBC

VR7EU287258FBD

VR7EU287258FBE

VR7EU567258GBZ

VR7EU567258GBA

VR7EU567258GBB

VR7EU567258GBC

VR7EU567258GBD

VR7EU567258GBE

VR7EU567258FBZ

VR7EU567258FBA

VR7EU567258FBB

VR7EU567258FBC

VR7EU567258FBD

VR7EU567258FBE

VR7EU127258GBZ

VR7EU127258GBA

VR7EU127258GBB

VR7EU127258GBC

VR7EU127258GBD

VR7EU127258GBE

Capacity

1GB

2GB

4GB

Module

Configuration

128Mx72

256Mx72

512Mx72

Device

Configuration

128Mx8 (9)

256Mx8 (9)

128Mx8 (18)

256Mx8 (18)

Device Package

TFBGA

Module

Ranks

Performance

PC3-6400

PC3-8500

PC3-10600

PC3-6400

PC3-8500

PC3-10600

PC3-6400

PC3-8500

PC3-10600

PC3-6400

PC3-8500

PC3-10600

CAS Latency

CL6 (6-6-6)

CL7 (7-7-7)

CL8 (8-8-8)

CL9 (9-9-9)

CL10 (10-10-10)

CL6 (6-6-6)

CL7 (7-7-7)

CL8 (8-8-8)

CL9 (9-9-9)

CL10 (10-10-10)

CL6 (6-6-6)

CL7 (7-7-7)

CL8 (8-8-8)

CL9 (9-9-9)

CL10 (10-10-10)

CL6 (6-6-6)

CL7 (7-7-7)

CL8 (8-8-8)

CL9 (9-9-9)

CL10 (10-10-10)

Features

•

JEDEC standard 1.5V ± 0.075V Power Supply

VDD = 1.5V ±0.075V

VDDSPD = +3.0V to +3.6V

240-pin Dual-In-Line Memory Module.

8 Internal Banks.

Programmable CAS Latency: 6, 7, 8, 9, 10

Programmable CAS Write Latency (CWL).

Programmable Additive Latency (Posted CAS).

•

Fixed burst chop (BC) of 4 and burst length (BL) of 8 via

the mode register set (MRS)

Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)

On-Die-Termination (ODT) and Dynamic ODT for improved

signal integrity.

Refresh. Self Refresh and Power Down Modes.

Serial Presence Detect with EEPROM.

On-DIMM Thermal Sensor.

RoHS Compliant* (see last page)

Nomenclature

Module Standard

PC3-6400

PC3 -8500

PC3-10600

PC3-12800

SDRAM Standard

DDR3-800

DDR3-1066

DDR3-1333

DDR3-1600

Clock

400MHz

533MHz

667MHz

800MHz

Viking Modular Solutions♦20091 Ellipse♦Foothill Ranch, CA 92610

Tel (800) 338-2361 Fax (949) 666-8159♦Website: http://www.vikingmodular.com

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DDR3

UNBUFFERED DIMM

VR7EUxxxx58xxx

PIN CONFIGURATIONS

Front

Side

VREFDQ 121

VSS

DQ0

DQ1

VSS

DQS0#

DQS0

VSS

DQ2

DQ3

VSS

DQ8

DQ9

VSS

DQS1#

DQS1

VSS

DQ10

DQ11

VSS

DQ16

DQ17

VSS

DQS2#

DQS2

VSS

DQ18

DQ19

VSS

DQ24

122

123

124

Back

Side

VSS

DQ4

DQ5

Front

Side

DQ25

VSS

DQS3#

DQS3

VSS

DQ26

DQ27

VSS

†CB0

†CB1

VSS

DQS8#

DQS8

VSS

†CB2

†CB3

VSS

VTT

151

152

153

154

155

156

157

158

159

160

161

162

163

164

165

166

167

168

KEY

169

170

171

172

173

174

175

176

177

178

179

180

Back

Side

VSS

DM3,

DQS12,

TDQS12

DQS12#,

TDQS12#

VSS

DQ30

DQ31

VSS

†CB4

†CB5

VSS

†DM8,

DQS17,

TDQS17

DQS17#,

TDQS17#

VSS

†CB6

†CB7

VSS

NC(TEST)

RESET#

Front

Side

VDD

*CK1

*CK1#

VDD

VREFCA

VDD

A10 / AP

BA0

VDD

WE#

CAS#

VDD

*S1#

*ODT1

VDD

VSS

DQ32

DQ33

VSS

DQS4#

DQS4

VSS

DQ34

DQ35

VSS

DQ40

181

182

183

184

185

186

Back

Side

VDD

CK0

CK0#

VDD

100

101

102

103

104

105

106

107

108

109

110

111

112

113

114

115

116

117

118

119

120

Front

Side

DQ41

VSS

DQS5#

DQS5

VSS

DQ42

DQ43

VSS

DQ48

DQ49

VSS

DQS6#

DQS6

VSS

DQ50

DQ51

VSS

DQ56

DQ57

VSS

DQS7#

DQS7

VSS

DQ58

DQ59

VSS

SA0

SCL

SA2

VTT

211

212

213

214

215

216

217

218

219

220

221

222

223

224

225

226

227

228

229

230

231

232

233

234

235

236

237

238

239

240

Back

Side

VSS

DM5,

DQS14,

TDQS14

DQS14#,

TDQS14#

VSS

DQ46

DQ47

VSS

DQ52

DQ53

VSS

DM6,

DQS15,

TDQS15

DQS15#,

TDQS15#

VSS

DQ54

DQ55

VSS

DQ60

DQ61

VSS

DM7,

DQS16,

TDQS16

DQS16#,

TDQS16#

VSS

DQ62

DQ63

VSS

VDDSPD

SA1

SDA

VSS

VTT

VSS

DM0, DQS9,

125

TDQS9

126 DQS9#, TDQS9#

127

128

129

130

131

132

133

134

135

136

137

138

139

140

141

142

143

144

145

146

147

148

149

150

VSS

DQ6

DQ7

VSS

DQ12

DQ13

VSS

DM1, DQS10,

TDQS10

DQS10#,

TDQS10#

VSS

DQ14

DQ15

VSS

DQ20

DQ21

VSS

DM2, DQS11,

TDQS11

DQS11#,

TDQS11#

VSS

DQ22

DQ23

VSS

DQ28

DQ29

187 EVENT#

188

189

VDD

190

BA1

191

192

193

194

195

196

197

198

199

200

201

202

203

204

205

206

207

208

209

210

VDD

RAS#

S0#

VDD

ODT0

A13

VDD

VSS

DQ36

DQ37

VSS

DM4,

DQS13,

TDQS13

DQS13#,

TDQS13#

VSS

DQ38

DQ39

VSS

DQ44

DQ45

VTT

CKE0

VDD

BA2

VDD

A11

VDD

*CKE1

VDD

A15

A14

VDD

A12 / BC#

VDD

*Used on dual rank modules

† Used on ECC modules, NC on x64 configurations

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DDR3

UNBUFFERED DIMM

VR7EUxxxx58xxx

PIN FUNCTION DESCRIPTION

SYMBOL

CK0, CK1

#CK0, #CK1

CKE[1:0]

TYPE

POLARITY

Positive Edge

Negative Edge

Active High

DESCRIPTION

Positive line of the differential pair of system clock inputs.

Negative line of the differential pair of system clock inputs.

CKE HIGH activates, and CKE LOW deactivates internal clock signals, and device input

buffers and output drivers of the SDRAMs. Taking CKE LOW provides PRECHARGE

POWER-DOWN and SELF REFRESH operation (all banks idle), or ACTIVE POWER

DOWN (row ACTIVE in any bank)

Enables the associated SDRAM command decoder when low and disables decoder when

high. When decoder is disabled, new commands are ignored and previous operations

continue. These input signals also disable all outputs (except CKE and ODT) of the

outputs (except CKE, ODT and Chip select) remain in the previous state. For modules

supporting 4 ranks, S[3:2] operate similarly to S[1:0] for a second set of register outputs.

On-Die Termination control signals

When sampled at the positive rising edge of the clock, CAS#, RAS#, and WE# define the

operation to be executed by the SDRAM.

Reference voltage for DQ0-DQ63 and CB0-CB7.

Reference voltage for A0-A15, BA0-BA2, RAS#, CAS#, WE#, S0#, S1#, CKE0, CKE1,

Par_In, ODT0 and ODT1.

Selects which SDRAM bank of eight is activated. BA0 - BA2 define to which bank an

Active, Read, Write or Precharge command is being applied. Bank address also

determines mode register is to be accessed during an MRS cycle.

Provided the row address for Active commands and the column address

and Auto Precharge bit for Read/Write commands to select one location out of the

memory array in the respective bank. A10 is sampled during a Precharge command to

determine whether the Precharge applies to one bank (A10 LOW) or all banks (A10

HIGH). If only one bank is to be precharged, the bank is selected by BA. A12 is also

utilized for BL 4/8 identification for ‘’BL on the fly’’ during CAS# command. The address

inputs also provide the op-code during Mode Register Set commands.

Data and Check Bit Input/Output pins

Power and ground for the DDR SDRAM input buffers and core logic.

Masks write data when high, issued concurrently with input data.

Power and ground for the DDR SDRAM input buffers and core logic.

Termination Voltage for Address/Command/Control/Clock nets.

Positive line of the differential data strobe for input and output data.

Negative line of the differential data strobe for input and output data.

TDQS, TDQS# is applicable for X8 DRAMs only. When enabled via Mode Register A11=1

in MR1, DRAM will enable the same termination resistance function on TDQS, TDQS#

that is applied to DQS, DQS#. When disabled via mode register A11=0 in MR1, DM,

TDQS will provide the data mask function and TDQS# is not used. X4/X16 DRAMs must

disable the TDQS function via mode register A11=0 in MR1

These signals are tied at the system planar to either VSS or VDDSPD to configure the

serial SPD EEPROM address range.

This bidirectional pin is used to transfer data into or out of the SPD EEPROM. A resistor

must be connected from the SDA bus line to V

DDSPD

on the system planar to act as a

pullup.

This signal is used to clock data into and out of the SPD EEPROM. A resistor may be

connected from the SCL bus time to VDDSPD on the system planar to act as a pullup.

S[3:0]#

Active Low

ODT[1:0]

RAS#, CAS#,

WE#

VREFDQ

VREFCA

BA[2:0]

Supply

Active High

Active Low

A[15:13,

12/BC,11,

10/AP,9:0]

DQ [63:0],

CB [7:0]

VDD, VSS

DM [8:0]

VDD, VSS

VTT

DQS[17:0]

DQS [17:0]#

TDQS[17:9],

TDQS[17:9]#

SA [2:0]

SDA

SCL

I/O

Supply

I/O

OUT

Active High

Positive Edge

Negative Edge

I/O

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DDR3

UNBUFFERED DIMM

VR7EUxxxx58xxx

PIN FUNCTION DESCRIPTION

SYMBOL

EVENT#

VDDSPD

RESET#

TEST

TYPE

OUT

(open drain)

Supply

POLARITY

Active Low

DESCRIPTION

This signal indicates that a thermal event has been detected in the thermal sensing

device.The system should guarantee the electrical level requirement is met for the

EVENT pin on TS/SPD part.

Serial EEPROM positive power supply wired to a separate power pin at the connector

which supports from 3.0 Volt to 3.6 Volt (nominal 3.3V) operation.

The RESET# pin is connected to the RESET# pin on each DRAM. When low, all DRAMs

are set to a known state.

Used by memory bus analysis tools (unused (NC) on memory DIMMs)

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　　（编译文慧）市场研究机构Gartner预测，2012年全球半导体制造设备支出将达389亿美元，较2011年的440亿美元下降11.6%。　　Gartner公司管理副总裁克劳斯·瑞宁(KlausRinnen)表示：“2011年下半年出现的市场疲软导致整个半导体制造业的扩张计划开始紧缩。这种投资疲软的态势将在2012年上半年继续，并有望在今年下半年出现全面逆转的局势。我们的这些假设立足于主要半...[详细]
OK 国际倾情赞助IPC 2012中国手工焊接竞赛

2012年3月，电子行业内备受关注的公益赛事---IPC中国手工焊接竞赛2012年度赛事的报名工作正式启动。生产组装领域的焊接工具及设备的全球领先供应商OK国际(OKinternational）公司再次倾情赞助，成为此项赛事的主赞助商，鼎力支持华东赛区、华北赛区、西南赛区及全国年度总决赛等赛事。IPC中国手工焊接竞赛由IPC国际电子工业联接协会和励展博览集团共同主办，在2010年和201...[详细]
Gartner：2012年全球半导体收入将达到3160亿美元

2012年3月14日，中国北京—根据全球技术研究和咨询公司最新展望报告，2012年全球半导体收入预计将达到3,160亿美元，比2011年增长4%。该展望高于Gartner于2011年第四季度所做的2.2%的增长预测。Gartner研究副总裁BryanLewis表示：“半导体产业有望于2012年第二季度开始回暖。库存修正预期将于第一季度完成，晶圆利用率将触底回升，此外，总体经济形势趋于稳定...[详细]
飞思卡尔新CEO立志：市场份额增长

当飞思卡尔新任CEOGreggLowe接过FTF讲台上的话筒那天，距离他继任刚刚过去13个昼夜。后来，当问到飞思卡尔的强项和弱项时，Lowe简短解释说，因为他刚继任不就，还没有资格就此问题做出回答。但是Lowe，这个6月5日继任为飞思卡尔新任CEO的人，让所有人都明白了一件比任何都重要的事情。他多次强调，他的首要任务是改善飞思卡尔的市场份额，并使公司的增长速度高于整个半导体产业。...[详细]
时代民芯在京启动第三届电子设计大赛圆满成功

2012年6月15日，国内军转民领域最大的IC设计公司和方案提供商北京时代民芯科技有限公司（以下简称“时代民芯公司”）在京启动了第三届电子设计大赛，同期举办了第二届电子设计大赛的颁奖庆典。出席的有时代民芯公司党委书记赵学严、时代民芯公司总经理赵元富、中国半导体行业协会副秘书长郑忠行、中国卫星导航定位协会常务副会长苗前军、航天科技集团公司科技委副主任江帆和工业信息化部电子信息司司长丁文武...[详细]
Algotochip：开创C to GDSII的Virtual R&D设计服务模式

Algotochip公司的业务模式和一般意义上的designservice不太一样，一般designservice是从RTL到GDSII，而Algotochip提供的，则是由CtoGDSII。“我们不希望将自己称为designservice公司，而希望叫virtualR&D，因为设计服务只是简单的外包，而我们会在芯片设计过程中提供很多决定。”我们先来说一说Algotochip起家...[详细]
消费差电子业下半年景气不明

欧债及高失业率打击消费，拓墣产业研究所表示，消费市场状况不佳，削弱电子产品上半年成长，加上下半年景气不明，台湾科技业可说是胆战心惊。拓墣产研表示，下半年欧债或高失业率问题一时之间恐难改善，欧美低迷需求也很难马上提升，美国市场也出现不主打降价促销，而朝向价格维持、出货数量减少的销售策略，将导致台湾零组件业者可能面临出货数量减少的困境。另一方面，中国大陆短期内已无法依靠拉抬外销欧美金额带动国...[详细]
富士康用工环境调查结果出炉：远好于其他企业

第三方机构调查后认为，富士康内地工厂的用工环境远好于其他企业。　　北京时间2月16日凌晨消息，美国非营利机构公平劳工协会(FairLaborAssociation，以下简称“FLA”)的一位负责人称，富士康中国内地工厂的工作条件比中国其他地方的服装以及其他行业工厂好得多。这里存在的问题并非压力大或条件恶劣，仅仅是工作的重复和枯燥。　　FLA已经开始对苹果在中国最大的8家供应商...[详细]
了解仙童历史知识，答题赢大礼活动举行

日前，FairchildSemiconductor宣布历时一年的转型完成，将公司全部资源集中在创新产品和优质服务开发方面，帮助全球工程师缩短新移动设备、穿戴式技术以及能源管理至关重要的所有其它产品的上市时间。　　　　　　作为这一改变的标志，公司开展了一项重大品牌推广活动，并面向其客户群推出新徽标和口号“PowertoAmaze”。新徽标象征着我们新的方向，以及我们正在朝着这一...[详细]
2月份北美PCB销售虽不理想但前景乐观

2013年4月4日，美国伊利诺伊州班诺克本—本周发布的《IPC北美地区PCB行业调研报告》中的前导指数显示，北美地区制造业开始缓慢复苏，在接下来的几个月将保持适度的增长，但是PCB行业对此信号还没有明显的反应。报告还显示，2月份PCB销售不太理想，某些领域的数据与去年同期相比，萎缩幅度达10%。不同于今年1月份的强劲增长，挠性电路板市场在2月份遭受重创。IPC市场调研总监Sharon...[详细]
Mouser公司经授权在全球发布Micrel公司的高性能IC解决方案

2013年4月1日–MouserElectronics宣布将与业界领先的IC解决方案制造商Micrel公司合作，推出Micrel公司选择范围极广的高性能半导体产品和解决方案。Micrel公司的产品包括高性能模拟、电源、先进的混合信号和射频半导体产品。此外，该公司还为丰富的全球市场和先进应用生产高速通信、时钟管理和LAN解决方案。Micrel公司的获奖产品MIC943xx纹波阻隔器™I...[详细]

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