Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P6SMB91CA-AU_R1_100A1

文档预览

P6SMB91CA-AU_R1_100A1: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 77.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小192KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

P6SMB91CA-AU_R1_100A1概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 77.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

P6SMB91CA-AU_R1_100A1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	SMB, 2 PIN
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	95.5 V
最小击穿电压	86.5 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
参考标准	AEC-Q101; TS 16949
最大重复峰值反向电压	77.8 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

P6SMB91CA-AU_R1_100A1文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P6SMB-AU SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

6.8 to 550 Volts

FEATURES

• For surface mounted applications in order to optimize board space.

• Low profile package

• Built-in strain relief

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Typical I

less than 1.0µA above 10V

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Fammability Classification 94V-O

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• Acqire quality system certificate : TS16949

• Manufactured in accordance with AECQ101

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

0.155(3.94)

0.083(2.11)

0.075(1.91)

0.185(4.70)

0.160(4.06)

0.096(2.44)

0.050(1.27)

0.030(0.76)

0.220(5.59)

0.200(5.08)

0.130(3.30)

0.012(0.305)

0.006(0.152)

0.083(2.13)

MECHANICAL DATA

• Case:JEDEC DO-214AA ,Molded plastic over passivated junction

• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750,Method 2026

• Polarity : Color band denotes cathode end

• Standard Packaging:12mm tape (EIA-481)

• Weight: 0.003 ounce, 0.093 gram

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000uS waveform (Notes 1,2, Fig.1)

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method) (Notes 2,3)

Peak Pulse Current on 10/1000us waveform(Note 1)Fig.3

Typical Thermal Resistance Junction to Air (Notes 2)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

P P M

F S M

P P M

J A

S T G

Value

600

100

see Table 1

-55 to +150

Units

Watts

Amps

C/W

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

= 25

C per Fig. 2.

2. Mounted on 5.0mm

(0.13mm thick) land areas.

3. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

March 14,2012-REV.05

PAGE . 1

推荐资源

wince 模拟器: 谁有用过CE下的模拟器啊。。。。想问下diplay需要设置一个多大的显示屏啊。。。我的显示驱动需要修改吗？我的一直处于黑屏的状态 ...; qz410152 嵌入式系统

球形六足机器人宠物——SensorTile模块使用说明: 本帖最后由 liren1979 于 2017-5-3 18:00 编辑详细说明见作品说明书！！！！正常情况下，由于六足机器人各个关节机械结构存在加工误差、安装误差，机器人爬行时表现出极强的各向异性特 ......; liren1979 机器人开发

STM32片内SRAM和片内FLASH区别: 做了个IO口模拟IIC协议读片外RTC的程序，同样的IIC读写程序放在片内SRAM上运行，读写时钟正确，但放在片内FLASH上运行，时钟会走慢，中断已关，片内SRAM和片内FLASH有何区别？请高人解释。 ......; sealove518 stm32/stm8

【玩转LaunchPad】串行接口（一）: 本系列文档特别感谢坛友wstt、david_lee、cat3902982、sugerlatu、zhangdaoyu等朋友的大力支持下，他们花费了很多时间和精力，将坛子里的资料进行了规整、总结，没有他们的付出，就不会有本教程 ......; EEWORLD社区微控制器 MCU

关于DSP编程的几个关键问题: 1 McBSP(Multichannel Buffered Serial Port)串口利用DMA中的多帧(Multi-Frame)方式通信的中断处理在实际通信应用中，一个突发之后，程序必须为下一个突发作准备。因此一般采用串口的DMA ......; 37°男人 DSP 与 ARM 处理器

【UFUN】UFUN学习资源整合: 本帖最后由 michael_llh 于 2016-8-2 09:35 编辑现在大家应该已经都拿到了UFUN的学习板了，为了方便大家学习，在这里整合所有网友的相关资料，以及我们的UFUN作者的内容。帮助大家学习。 ......; michael_llh stm32/stm8

印度大局扩张半导体产业，新批准四个制造项目

印度政府近期在“印度半导体使命”（ISM）框架下，批准了四个新的半导体制造项目，这些项目分布在奥里萨邦、旁遮普邦和安得拉邦三个邦，总投资达5.5亿美元（约合印度卢比459.4亿）。随着这一轮项目的获批，ISM支持的项目总数已增至10个，在六个邦的累计投资达191.5亿美元，为印度半导体产业的发展注入了强劲动力。此次获批的项目由SiCSem、大陆设备印度有限公司（CDI...[详细]
究竟是谁在偷对方的技术？中美半导体设备商“互掐”

半导体行业再起波澜，一桩知识产权诉讼浮出水面，所谓的先进技术又是“偷来的”？8月13日，国产刻蚀设备商北京屹唐半导体科技股份有限公司（简称“屹唐股份”，股票代码：688729.SH）正式对外发布公告，宣布就核心技术秘密被非法获取一事，向北京知识产权法院提起诉讼，被告为全球半导体设备巨头——应用材料公司（AppliedMaterials,Inc.，简称“应用材料”）。此次诉讼标的金额高达人民...[详细]
英伟达：芯片不存在后门、终止开关、监控软件

8月6日消息，今天凌晨，英伟达通过官微发布长文《NVIDIA芯片不存在后门、终止开关和监控软件》。NVIDIAGPU是现代计算的核心，被广泛应用于医疗健康、金融、科学研究、自动驾驶系统和AI基础设施等行业。业界将NVIDIAGPU集成于众多系统中，包括CT扫描仪、MRI机器、DNA测序仪、空中交通雷达跟踪系统、城市交通管理系统、自动驾驶汽车、超级计算机、电视广播系...[详细]
DigiKey 庆贺印度班加罗尔办事处正式启动

DigiKey印度全球能力中心将提供全球性的服务和支持全球领先的电子元器件和自动化产品分销商DigiKey日前隆重宣布，在班加罗尔正式启动其印度子公司Digi-KeyElectronics&AutomationTradingPrivateLimited，该公司将成为DigiKey的一个全球能力中心(GCC)，为全球客户提供服务和支持。这一举措彰显了DigiK...[详细]
高带宽内存（HBM）完全指南

在当下这个数据密集型应用爆发的时代，从人工智能、机器学习，到高性能计算（HPC）与游戏领域，传统内存架构的性能极限正不断被突破，而高带宽内存（HBM）凭借高性能、低功耗的特性，成为了新一代存储解决方案。随着各行业对高速、高吞吐量数据处理的需求持续攀升，深入理解HBM的架构设计、核心优势，以及它在下一代系统中的演进定位，已成为行业发展的关键前提。本文将深入解析HBM的工作原理，对比其...[详细]
印度投325亿元促电子元件制造

1月5日消息，在宣布超越日本成为第四大经济体后，印度开始加大对国内制造业的投资。据悉，印度电子和信息技术部表示，已批准该国电子元件制造计划（ECMS）下的第三批项目申请，价值约4186.3亿卢比（约合人民币325亿元左右），旨在通过激励计划促进电子元件的国内制造，并且追赶中国和美国等。此次获批项目包括三星和塔塔电子等企业提出的方案，涵盖手机、电信设备、消费电子、汽车和IT硬件中使用的11种产...[详细]
宣城立讯入选IPC QML 验证制造商名录，树立汽车电子可靠性新标杆

【中国上海，2025年12月19日】—IPC中国（全球电子协会旗下标准品牌）近日宣布，宣城立讯精密工业有限公司（以下称宣城立讯），经过IPCQML（QualifiedManufacturersList，验证制造商名录）的严格审核，其生产工艺和产品质量被验证符合电子行业国际标准IPCJ-STD-001《焊接的电气与电子组件要求》与IPC-A-610《电子组件的可接受性》三级产品...[详细]
DigiKey 启动 2025 DigiWish 佳节献礼活动，为全球工程界赠礼

年度DigiWish献礼活动将于12月1日至24日重磅回归，工程师、创客和科技爱好者有机会赢取最高价值人民币700元的购物返利DigiWish佳节献礼活动将持续至2025年12月24日，活动期间有机会赢取最高价值人民币700元的购物返利。全球领先的电子元器件和自动化产品分销商DigiKey日前启动了其第17届年度DigiWish佳节献...[详细]
齐力半导体谢建友：先进封装产业需要厚积薄发

在芯片行业设计范式向Chiplet转变的当下，专注先进封装领域的齐力半导体正以一体化解决方案提供商的姿态崭露头角。公司CEO谢建友强调，齐力半导体并非单纯的封装企业，而是覆盖从设计、仿真到研发量产的全流程，为客户提供totalsolution的先进封装方案解决公司。他指出，当前从SoC设计到Chiplet设计的转变，本质上是芯片行业设计范式的革新，以往单一纳米制程下的晶圆级设计，正逐渐被多纳米...[详细]
全球电子协会发布《双重重要性评估（DMA）工具包》助力电子产业合规开展可持续发展报告

【中国上海，2025年11月21日】—全球电子协会今日宣布正式推出《双重重要性评估（DoubleMaterialityAssessment，DMA）工具包》，旨在帮助企业高效应对欧盟《企业可持续发展报告指令》（CSRD）的复杂报告要求。尽管CSRD是一项欧盟法规，但其影响具有全球性——凡是在欧洲设有业务、子公司或有大量销售额的企业及其全球供应链，都必须遵守严格的可持续发...[详细]
贸泽开售适用于消费电子和工业应用的 Synaptics全新SL1680嵌入式物联网处理器

2025年11月21日–专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子(MouserElectronics)开售Synaptics全新SL1680嵌入式物联网处理器。SL1680是Synaptics的高度集成、AI原生、支持Android™和Linux®的嵌入式片上系统(SoC)处理器中的新成员，专为多模态企业级、消费级和工业物联网应用优化设计。Sy...[详细]
三星、SK 海力士、美光“三巨头”鏖战 HBM，铠侠瞄准 AI 数据中心 SSD 空档

1月30日消息，今天下午，据彭博社报道，闪存厂商铠侠认为，在竞争对手忙于其他战场之际，自身正迎来一个关键机会，可以在AI数据中心所需的高密度存储领域抢占增长空间。目前，三星电子、SK海力士和美光都在全力争夺高带宽内存（HBM）市场。HBM利润丰厚，并且与英伟达加速器配套使用，是AI训练与开发的核心部件。铠侠执行董事长斯泰西·史密斯指出，这些竞争对手在SSD以及其他先...[详细]
台积电去年四季度营收337亿美元全年超过1200亿美元

1月16日消息，据外媒报道，为苹果、英伟达、AMD等诸多厂商代工芯片、市场份额遥遥领先的台积电，已经发布了他们去年四季度的财报，营收和净利润同比环比均有增加，全年的营收和净利润也有大增。台积电的财报显示，他们在去年四季度营收337.31亿美元，高于2024年同期的268.84亿美元，同比增长25.5%，也高于上一季度的330.97亿美元，环比增长1.9%。利润方面，财报显示他们这一季度的毛利...[详细]
尼得科精密检测科技推出半导体测温探针卡及支持高电压的加压结构探针卡

尼得科精密检测科技株式会社（以下简称“本公司”）子公司尼得科SVProbe正式发售以下产品：①半导体设备温度测量探针卡“TC（热电偶）探针卡”、②可支持高电压的探针卡“加压结构探针卡”。近年来，电动汽车（EV）和工业设备等领域使用的功率半导体需求不断增加，对高电压、大电流功率半导体的检测、特别是在高温环境下进行更精确、高质量检测的需求日益增长。①“TC探针卡”半导体设备温...[详细]
半导体复苏机遇来袭，创实技术多线程并进围绕优势领域做深做强

近日，慕尼黑华南电子展在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大开幕，该展会以粤港澳大湾区为据点，辐射华南、西南以及东南亚市场，汇集人工智能、数据中心、新型储能、无线通信、硬件安全、新能源汽车、第三代半导体、边缘计算、工业互联网以及物联网等热门技术和应用，汇聚国内外一众知名企业，不仅全方位呈现了电子创新产业链上的前沿技术，更吸引了大批量行业优质买家及精英，进一步推进了产业跨界合作与深度协同。深...[详细]

小广播

热搜元器件