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BZD27C62PT/R13

产品描述Zener Diode, 62V V(Z), 5%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小165KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZD27C62PT/R13概述

Zener Diode, 62V V(Z), 5%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

BZD27C62PT/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.8 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压62 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流10 mA

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BZD27C3V6P~BZD27C75P
VOLTAGE REGULATOR DIODES
VOLTAGE
FEATURES
0.075(1.90)
0.067(1.70)
3.6 to 75 V
olts
POWER
800 mW
SOD-123FL
Unit
inch(mm)
Sillicon Planar Zener Diode
Low profile surface-mount package
Zener and surge current specification
Low leakage current
Excellent stability
High temperature soldering : 260 C/10 sec. at terminals
O
0.115(2.90)
0.106(2.70)
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.145(3.70)
0.137(3.50)
MECHANICAL DA
TA
Case: SOD-123FL
Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity:Color band denotes cathode end
Approx Weight:
0.0006 ounces,
0.0173 grams
1
2
0.030(0.75)
0.017(0.45)
C a th o d e
A node
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(TA=25
O
C , unless otherwise specified)
Parameter
Power dissipation
Test conditon
T
L
=80
O
C
T
A
=25
O
C
100
μ
s square pulse(note 2)
10/1000
μ
s waveform (BZD27-C7V5P to BZD27-C75P)
Symbol
P
TOT
P
TOT
P
ZSM
P
RSM
Value
2.3
0.8 (note 1)
300
150
Units
W
Non-repetitive peak pulse power dissipation
0.008(0.20)
0.004(0.10)
0.044(1.10)
0.031(0.80)
0.043(1.08)
0.038(0.98)
W
THERMAL CHARACTERISTICS
(TA=25
O
C , unless otherwise noted)
P a ra me te r
The r m a l r e s i s t a nc e j unc t i o n t o a m b i e nt a i r
The r m a l r e s i s t a nc e j unc t i o n t o l e a d
M a xi m um j unc t i o n t e m p e r a t ur e
S t o r a g e t e m p e r a t ur e r a ng e
Te s t c o n d i t i o n
S ym b o l
R
θ
J A
R
θ
J L
Τ
J
T
s
Va l ue
180
30
150
-5 5 to + 1 5 0
U ni t
K /W
K /W
O
-
-
-
-
C
C
O
ELCTRICAL CHARACTERISTICS
PA RA M E TE R
F o r w a r d vo l t a g e
Te s t c o n d i t i o n
I
F
= 0 . 2 A
S ym b o l
V
F
Mi n
Ty p
Max
1.2
U ni t s
V
-
-
NOTES:
1. Mounted on epoxy-glass PCB with 3X3 mm Cu pa ds (>40μm thick)
2. T
J
=25
O
C prior to surge
STAD-JAN.12.2007
PAGE . 1
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