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SB845_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AC,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小96KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB845_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AC,

SB845_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压45 V
最大反向电流100 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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SB820~SB860
D
2
PAK SURFACE MOUNTSCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
20 to 60 Volts
CURRENT
8 Ampere
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AC molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o r wa rd C urre nt a t T
C
=7 5
O
C
P e a k F o rwa r d S urg e C ur re nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri m p o s e d o n r a te d lo a d (J E D E C me tho d )
Ma xi mum F o rwa r d Vo lta g e a t 8 A
Ma xi mum D C Re ve rs e C urr e nt a t Ra te d D C B lo c k i ng
Vo lta g e
Typ i c a l The r ma l Re s i s ta nc e
Op e r a ti ng J unc ti o n Te mp e r a ture Ra ng e
S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YMB OL S B 8 2 0
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
J
C
T
J
T
S TG
20
14
20
S B830
30
21
30
SB 840
40
28
40
8
SB845
45
3 1 .5
45
S B850
50
35
50
S B860
60
42
60
UNITS
V
V
V
A
A
150
0 .5 5
0 .2
50
4
-5 5 to +1 2 5
- 5 5 to +1 5 0
-5 5 to +1 5 0
0 .1
50
O
0 .7 5
V
mA
C / W
O
C
C
O
NOTES:
Both Bonding and Chip structure are available.
January 24,2013-REV.03
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