Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P6KE15-AU_R2_000A1

文档预览

P6KE15-AU_R2_000A1: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小178KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

P6KE15-AU_R2_000A1概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15,

P6KE15-AU_R2_000A1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, UL RECOGNIZED
最大击穿电压	16.5 V
最小击穿电压	13.5 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-15
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	AEC-Q101; TS 16949
最大重复峰值反向电压	12.1 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

P6KE15-AU_R2_000A1文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P6KE-AU SERIES

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

6.8 to 550 Volt

Recongnized File # E210467

1.0(25.4)MIN.

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• 600W surge capability at 1ms

• Excellent clamping capability

• Low zener impedance

• Fast response time: typically less than 1 ps from 0 volts to BV min

• Acqire quality system certificate : TS16949

• AEC-Q101 qualified

• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive

0.034(0.86)

0.028(0.71)

0.300(7.6)

0.230(5.8)

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-15 Molded plastic

• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Weight: 0.015 ounce, 0.4 gram

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Power Dissipation on T

=25

C, T

=1ms (Notes 1)

Typical Thermal Resistance (Notes 2)

Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave

Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) (Notes 3)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

θJ

θJC

PPM

F S M

S TG

1.0(25.4)MIN.

0.140(3.6)

0.104(2.6)

Value

600

see Table

100

-65 to +175

Units

Watts

C/W

Amps

NOTES :

1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C per Fig. 2.

2. Mounted on 48cm

FR-4 PCB.

3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

4. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or greater than the DC

or continuous peak operating voltage level.

December 22,2014-REV.00

PAGE . 1

推荐资源

【平头哥RVB2601创意应用开发】 hello world: RVB2601开发板是基于CH2601芯片设计的生态开发板，其具有丰富的外设功能和联网功能，可以开发设计出很多有趣的应用。先跑个hello world 程序看看，双击打开CDK，点击工具栏最右侧的HOME图标 ......; xscc 玄铁RISC-V活动专区

硬件条件和外界条件一定的情况下，如何提高Wifi连接速度: 能否通过一些配置，比如连接时指定路由器IP地址等，来提高Wifi打开时的连接速度呢？？？...; eaglewxy 嵌入式系统

如何创建自己的XDC platform package??: 小弟最近需要用TI的CodecEngine，使用的平台是合众达的6467T。在XDC工具中，有一个关于Platform的设定项。但是TI所给Platform package中是没有合众达平台的platform package的。于是我想自己创 ......; zmrame TI技术论坛

H桥电机驱动原理与应用: H桥电机驱动原理与应用原著：吉姆布朗 1998年4月整理上传：鲍勃乔丹 2002年9月翻译：韦文潮 2007年12月本文的内容是要告诉大家什么是H桥以及它如何是工作的。我们首先来看马达是如何转动 ......; yuandayuan6999 单片机

从0开始学习TI--M3……1: 去年年末的时候团了LM3S9B96和LM3S811，记得那时候说拍0.01元的LM3S811是要交学习笔记的，所以从今天开始写学习笔记，还当时的承诺。持续时间大约为50天，每两天一篇，前15份学习笔记是基于811 ......; zca123 微控制器 MCU

MicroPython进一步改进文件系统: stm32/storage: Make pyb.Flash configurable, and support ext block proto. stm32/main: Auto detect block device used for main filesystem. stm32/moduos: Add VfsLfs1 and VfsLfs2 ......; dcexpert DIY/开源硬件专区

闪迪就 HBF 高带宽闪存结盟 SK 海力士，首款 AI 推理终端设备 2027 年初出样

8月7日消息，Sandisk闪迪在今年早些时候提出了HBF高带宽闪存概念。这是一种类似HBM内存但基于NAND的新型存储，专为AI推理工作负载而设计，能在相似成本下提供8~16倍于HBM解决方案的存储容量。而在美国加州当地时间6日，闪迪宣布与SK海力士签署一项谅解备忘录(MOU)，SK海力士也将参与HBF规范的制定。SK海力士的加入对闪迪...[详细]
AMD CEO苏姿丰确认：Instinct MI308 AI芯片获准对华出口

11月6日消息，据媒体报道，AMD首席执行官苏姿丰在第三季度财报电话会议上确认，公司已获得MI308AI芯片的出口许可。与英伟达相似，AMD同样对美国实施的出口限制政策表示不满。据估计，相关管制可能导致公司在库存、采购承诺及相关储备方面面临约8亿美元的季度损失。随着InstinctMI308恢复供货的消息传出，AMD股价与英伟达一样出现显著上涨。目前，InstinctMI308的官方...[详细]
贸泽授权代理Renesas Electronics新技术产品为设计工程师和采购员提供丰富多样的选择

2025年11月5日–全球半导体和电子产品授权代理商贸泽电子(MouserElectronics)即日起备货嵌入式应用安全解决方案知名供应商RenesasElectronics的全新产品。贸泽供应超过28,000种Renesas元器件，其中将近10,000种有库存且可立即发货，为客户提供Renesas广泛的全新解决方案组合，并且持续增加新品。RenesasRA8P1微控制...[详细]
NVIDIA重返中国市场无望黄仁勋揭秘原因

“最先进的芯片，我们不会允许除美国以外的任何人拥有”，特朗普近日接受采访时表示。这也意味着，只有美国客户才能获得NVIDIA提供的顶级Blackwell芯片。NVIDIACEO黄仁勋上周表示，由于中国方面对该公司的态度，NVIDIA没有寻求美国对中国市场的出口许可证。“他们已经非常明确地表示，他们现在不希望NVIDIA进入中国市场，”他在一次开发者活动中说道，并补充说，NVIDIA需要进...[详细]
高带宽内存（HBM）完全指南

在当下这个数据密集型应用爆发的时代，从人工智能、机器学习，到高性能计算（HPC）与游戏领域，传统内存架构的性能极限正不断被突破，而高带宽内存（HBM）凭借高性能、低功耗的特性，成为了新一代存储解决方案。随着各行业对高速、高吞吐量数据处理的需求持续攀升，深入理解HBM的架构设计、核心优势，以及它在下一代系统中的演进定位，已成为行业发展的关键前提。本文将深入解析HBM的工作原理，对比其...[详细]
意法半导体总裁兼首席财务官Lorenzo Grandi 将在巴克莱投资者会议上发表讲话

2025年12月5日–中国，意法半导体总裁兼首席财务官LorenzoGrandi将于2025年12月11日星期四中欧时间晚上7点25分（即北京时间12月12日凌晨2点25分），在旧金山举行的巴克莱第23届全球技术年会上发表演讲。...[详细]
全球电子协会发布《双重重要性评估（DMA）工具包》助力电子产业合规开展可持续发展报告

【中国上海，2025年11月21日】—全球电子协会今日宣布正式推出《双重重要性评估（DoubleMaterialityAssessment，DMA）工具包》，旨在帮助企业高效应对欧盟《企业可持续发展报告指令》（CSRD）的复杂报告要求。尽管CSRD是一项欧盟法规，但其影响具有全球性——凡是在欧洲设有业务、子公司或有大量销售额的企业及其全球供应链，都必须遵守严格的可持续发...[详细]
智能设备广泛兴起，SmartDV将以定制化与功能安全IP及生态合作推动相关芯片设计

中国北京，2025年11月——向全球市场提供灵活、高度可配置、可定制的半导体设计知识产权（IP）和验证IP（VIP）的领先开发商SmartDVTechnologies™宣布，将出席于2025年11月20日-21日在成都•中国西部国际博览城隆重举办的“成渝集成电路2025年度产业发展论坛暨第三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo2025）”。本届大会正值人工智能（AI）和边缘AI...[详细]
英特尔 IFS 外部晶圆代工 2025 年营收预计 1.2 亿美元

11月11日消息，2025年，英特尔晶圆代工（IntelFoundryServices，简称IFS）业务持续低迷，其营收规模远远落后于台积电，距离实现收支平衡仍有很长的路要走。根据半导体分析机构SemiAnalysis分析师SravanKundojjala的数据，2025年英特尔晶圆代工营收预计1.2亿美元（现汇率约合8.55亿元人民币），仅为台积电同期收入的...[详细]
三星、SK 海力士、美光“三巨头”鏖战 HBM，铠侠瞄准 AI 数据中心 SSD 空档

1月30日消息，今天下午，据彭博社报道，闪存厂商铠侠认为，在竞争对手忙于其他战场之际，自身正迎来一个关键机会，可以在AI数据中心所需的高密度存储领域抢占增长空间。目前，三星电子、SK海力士和美光都在全力争夺高带宽内存（HBM）市场。HBM利润丰厚，并且与英伟达加速器配套使用，是AI训练与开发的核心部件。铠侠执行董事长斯泰西·史密斯指出，这些竞争对手在SSD以及其他先...[详细]
VisIC完成超亿元B轮融资，现代汽车等最新参投

VisICTechnologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，HyundaiMotorCompany和Kia（统称“HKMC”）作为战略投资者参投以色列内斯齐奥纳2026年1月7日--电动汽车氮化镓（GaN）功率半导体先锋VisICTechnologiesLtd.今日宣布其B轮融资第二次交割顺利完成，共募集2,600万美元。本轮由一家全球半导体...[详细]
Arm ToTal Design正在大获成功

编译自tomshardware当Arm在2023年10月推出其TotalDesign计划时，其成功并未得到保证。然而，根据Arm的一篇博文，TotalDesign确实取得了成功。Arm的TotalDesign生态系统快速扩展，在一年内规模翻了一倍。该生态系统目前涉及30多家公司，包括三星代工厂（SamsungFoundry）、ADTechnology和Rebellions，他们合作...[详细]
芯联集成三季度实现毛利率转正

公司三季度实现毛利率转正，单季度毛利率约为6%。2024年10月13日，芯联集成发布2024年前三季度业绩预告。公司营收、净利润、EBITDA(息税折旧摊销前利润)等指标均保持高增长，这也是公司自去年5月份上市来一贯保持的业绩增速节奏。公司预计2024年前三季度：营业收入约为45.47亿元，同比增加约7.16亿元，增长约18.68%；归母净利润约为-6.84亿元，同比减亏...[详细]
全球首个真空噪声芯片发布

近日，北京经济技术开发区（北京亦庄）企业北京中科国光量子科技有限公司（以下简称“国光量子”）成功推出全球首个能够有效对抗电源纹波攻击等侧信道攻击的随机数芯片——真空噪声芯片，在信息安全领域取得了具有里程碑意义的重大突破。在当今数字化高速发展的时代，信息安全已成为至关重要的课题，而随机数的生成则是保障信息安全的关键环节之一。然而，传统的随机数生成技术在面对诸多挑战时，显得力不从心，其中电源纹...[详细]
DigiKey 12月盛大启幕：年度DigiWish佳节献礼，助力推动科技创新

DigiKey是全球领先的电子元器件和自动化产品库存分销商，提供种类齐全的产品以供即时发货。DigiKey欣然宣布，将于2024年12月1日全球启动其第16届年度DigiWish佳节献礼活动，而中国区专属活动也会紧接于12月2日启动。作为公司持续助力工程师、设计师和制造者加速创新与发展的使命之一，DigiKey提前拉开节日序幕，将选出24名幸运获奖者。2024年度DigiWish...[详细]

小广播

热搜元器件