Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N4620-35T/R15

文档预览

1N4620-35T/R15: 产品描述Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小112KB，共3页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

1N4620-35T/R15概述

Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

1N4620-35T/R15规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	DO-35
包装说明	O-GALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-GALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
标称参考电压	3.3 V
表面贴装	NO
技术	ZENER
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压容差	5%

1N4620-35T/R15文档预览

下载PDF文档

全文
预览

1N4614 SERIES

AXIAL LEAD ZENER DIODES

VOLTAGE

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

1.8 to 6.2 Volts

POWER

500mWatts

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass DO-35

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: See Diagram Below

• Approx. Weight: 0.13 grams

• Mounting Position: Any

• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package

• Packing information

- 2K per Bulk box

T/R - 10K per 15" plastic Reel

T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25

C unless otherwise noted)

Rating

Power Dissipation at T

= 25

Maximum Forward Voltage at I

=100mA

Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Notes 1)

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Symbol

TOT

θJA

STG

Value

500

300

-55 to +175

Units

C/W

NOTES :

1. Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

February 22,2011-REV.00

PAGE . 1

推荐资源

行业知名的音频技术公司招聘硬件工程师和助理工程师: 硬件工程师月薪9K+岗位职责：1）完善公司现有的音频相关硬件产品，根据需求开发新的产品； 2）编写硬件产品设计文档，完成原理图设计并指导PCB layout，样机焊接与测试；3）配合软件工程师完成 ......; flyriz 求职招聘

有没有相控阵天线手册第三版中文版电子书啊？: 有没有相控阵天线手册第三版中文版电子书啊？ ...; 大熊大熊无线连接

晒晒最近兑换的礼品-给孩子用的水杯: 本帖最后由 wgsxsm 于 2016-3-31 19:37 编辑 235519 235520 235521 ...; wgsxsm 聊聊、笑笑、闹闹

多媒体协处理器SM501在嵌入式系统中的应用: 引言近年来，从手持消费电子到工业控制系统，嵌入式处理器的应用已经深入到人们工作和生活的方方面面，在某些应用领域，系统需要提供如1280×1024这类高分辨率的显示界面，而多数嵌入式处 ......; lorant 嵌入式系统

【藏书阁】微波技术基础,实验(省优课件): 39935...; wzt 嵌入式系统

[忙里偷闲学习ufun_9]系统节拍SYSTICK——10微秒延时: 源码：253295程序比较简单，主要是用中断来记数延时，LED3闪烁。 ...; boming stm32/stm8

业界看好AMD工厂大股东购新加坡特许半导体

据国外媒体报道，业界看好AMD制造工厂大股东阿联酋ATIC收购新加坡特许半导体大部分股份，报道指出如果与新加坡特许半导体公司(CharteredSemiconductorManufacturing)联合成功无疑能加强自身的生产能力，扩大客户群。同时新加坡特许半导体也能获得强大的财政支持。两位知情人士周一表示，尽管新加坡国有投资公司淡马锡（Temasek）希望能收到更好的报价，但淡...[详细]
台湾IC产业下半年回暖，拓墣盘点市场推手

受惠于中国家电下乡政策、山寨市场崛起，以及触控产品、3G手机等新产品需求提升，拓墣产业研究所(TRI)预测台湾地区IC产业2009年下半年表现，将明显优于上半年，全年产值高点可望落在第三季，达3,406亿元新台币。而第四季产值预估受到季节与库存调节等效应等因素影响将小幅拉回，但IC设计、制造、封测等次产业之YoY将全面转为正成长，为2010年IC产业复苏吹响号角。在产品布局部分，...[详细]
台湾拓墣：中国内需市场引领下半年产业成长

拓墣产业研究所(TRI)指出，随着中国政府4兆元扩大内需政策激活，以及“家电下乡”、“以旧换新”、“节能产品惠民工程”、“十大产业振兴规划”等计划的推行，对今年2月前有失速之虞的中国经济发挥了振衰功能，整体效果在今年第一季末陆续出现。拓墣表示，自今年3月后，从出口金额、社会消费品零售额、城镇固定资产投资、制造业PMI指数来看已有逐渐回温迹象，而中国内需消费市场将是引领复苏的重要关...[详细]
韩国半导体代工厂MagnaChip已申请破产保护

法院相关文件显示，南韩CMOS影像传感器厂商MagnaChipSemiconductorLtd.以及旗下5家子公司已于美国德拉瓦(Delaware)州地方法院依据破产法第11章声请破产保护。根据报导，MagnaChip列出的资产总额达5,000万美元，负债则超过10亿美元。2004年10月自Hynix独立出来的MagnaChip总部设于南韩首尔。Magnachip为模拟及先进混...[详细]
茂德、TMC、尔必达金三角定调

茂德与台湾存储器公司(TMC)、尔必达(Elpida)三角关系逐渐拨云见日，茂德将以中科12寸厂为尔必达代工标准型DRAM产品，从65纳米制程技术开始，值得注意的是，茂德与海力士(Hynix)合作关系并未结束，为此三角关系埋下伏笔。此外，茂德中科12寸厂亦将作为TMC工程开发基地，茂德将提供12寸厂机台和人才，作为TMC开发DRAM技术平台，这亦破除市场质疑TMC没有厂房、但要做DRAM技...[详细]
Vishay首创将高、低MOSFET集成在同一封装

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出在一个封装内集成一对不对称功率MOSFET系列的首款产品---SiZ700DT。该款器件的推出将有助于减少DC-DC转换器中高边和低边功率MOSFET所占的空间。SiZ700DT采用6mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封装，在一个紧凑的器件内同时提供了低边和高边MOSFET，同时保持了低导通电阻和高最大...[详细]
从ARM在中国的授权，看中国IC公司竞争力

“中国厂商的产业升级越来越快，与欧美的差距也越来越小。从工艺上来看，仅差一代的距离；从使用的CPU核来看，中国厂商与欧美仅差半代。”在日前的2009(第七届)泛珠三角集成电路创新应用展示暨高峰论坛上ARM中国销售副总裁吴雄昂讲道。吴雄昂表示，中国芯片厂商(包括整机厂商的微电子部)对高端ARM核的授权表现得非常积极。从数量上看，过去一年来，中国厂商申请的ARM11与Cortext...[详细]
鲁毅智再度访华，战略撼动半导体市场格局

日前，鲁毅智以美国半导体产业协会副主席、GLOBALFOUNDRIES董事长的身份访问了北京。这位在半导体行业内德高望重的“宗师”级人物一下飞机，就与忙着与中国半导体行业协会组织和政府相关部门进行了多次高级别的会晤。同时，挂有GLOBALFOUNDRIES董事长、前任AMD董事长和董事会主席等多重身份标签的鲁毅智，还与AMD及其客户、知名学者、业内专家进行了深入交流。在历时一周的...[详细]
深圳半导体产业链版图渐趋完整

深圳目前在上游IC设计端，有华为旗下的海思与中兴通讯切割出来的中兴设计，晶圆代工部分则有方正、深爱与中芯，另外比亚迪也因收购中纬六寸厂，进军半导体产业，至于封测端有意法半导体跟沛顿，显见深圳已成为华南地区首个拥有完整半导体产业链的城市，与苏州跟上海互别苗头。大陆发展半导体产业虽然时间很长，在甫出炉的电子产业振兴方案中，也将半导体当成重点扶持的项目之一，但事实上，目前大陆半导体产业...[详细]
多晶硅价跌80%　四川部分企业间歇性停产

“多晶硅暴利时代已经终结。”对于多晶硅如蹦极一样的价格下滑，雅安永旺硅业负责人很坦然。近日，四川省经委公布上半年有色金属行业数据，多晶硅价格已由2007年的300多万元/吨降至目前的50多万元/吨。乐山新光硅业去年上半年利润为4.1亿元左右，而今年上半年仅为1亿多元。可靠人士透露，四川一些多晶硅企业已经出现间歇性停产。四川省经委机械冶金建材处相关负责人透露，他们正在就硅...[详细]
三星电子率先量产40纳米DDR3 DRAM

7月21日三星电子宣布已经开始量产40纳米2GbDDR3Dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。据悉，继2008年9月三星电子在业内首次量产50纳米DDR3Dram之后，该公司又于2009年1月首次开发出40纳米2GbDDR3Dram并于本月首次投入量产。三星电子通过不断简化生产工艺缩短生产时间，极大地提高了生...[详细]
最新低成本高效率0.18微米OTP制程

上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)，发布其最新开发的0.18微米OTP(一次编程)制程平台。该低成本高效率OTP技术平台基于宏力半导体自身的0.18微米逻辑制程，结合了第三方OTP。采用3.3V作为核心器件，从而省去了0.18微米标准逻辑制程中的1.8V器件，因此可以节省至少5层光罩。由于该OTP是建立在相同的逻辑制程基础上，所以不需要额外的制程步骤。相对于...[详细]
GlobalFoundries纽约晶圆厂正式破土动工

GlobalFoundries宣布，位于美国纽约州萨拉托加县卢瑟森林科技园区的Fab2晶圆厂今天如期正式破土动工，AMD筹划了长达三年多的夙愿也终于开始变成现实。Fab2晶圆厂项目于本月初得到最终批准，建设和装备总投资42亿美元，包括8亿美元左右的当地建设费用，预计耗时大约两年完工，占地总面积222.45英亩(90万平方米)，其中建筑总面积1327420平方英尺(12.3万平...[详细]
预计：未来什么样的IC产品将走俏

经历此次金融危机之后,全球半导体业元气大伤。据iSuppli在2008年10月与2009年6月的两次不同时间点的预测相比较,工业几乎倒退了5年。即原先估计在2010年时产业规模达到3000亿美元,如今将修正到2014年左右。连张忠谋坦言未来半导体业的年均增长率为5%-6%。然而在新形势下,哪些IC类产品的前景仍看好？iSuppli作了最新预测;下面有两张2007to2013...[详细]
超微半导体(中国)有限公司落户沈阳浑南新区

沈阳市政府和超微半导体（中国）有限公司（简称AMD）在沈签署战略合作备忘录，双方期望通过密切合作，推动沈阳乃至东北地区信息化建设和信息产业的发展。战略合作备忘录签署后，双方将在工业化和信息化融合、信息化建设及信息产业发展、高端人才培养等三个方面开展战略合作。在工业化及信息化融合方面：计划在行业应用软件、集成电路、数字化装备、工业自动化等领域开展长期战略合作。A...[详细]

小广播

热搜元器件