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1N5406_R2_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小90KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N5406_R2_10001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

1N5406_R2_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

1N5406_R2_10001文档预览

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1N5400~1N5408
HIGH CURRENT PLASTIC SILICON RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
50 to 1000 Volts
CURRENT
3.0 Ampere
DO-201AD
Unit: inch(mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• High current capability
• Low leakage
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
.052(1.3)
.048(1.2)
.375(9.5)
MECHANICAL DATA
• Case: DO-201AD Molded plastic
• Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
guaranteed
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0395 ounces, 1.122 gram
.285(7.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load,derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi mum R e cur re nt P e a k Re ve rs e V o lta g e
Ma xi mum R MS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c k i ng V o lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o r wa r d C urr e nt .3 7 5 " ( 9 .5 mm)
le a d le ng th
P e a k F o r wa r d S urg e C urr e nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne - wa ve
s up e ri mp o s e d o n r a te d lo a d (J E D E C me tho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 3 .0 A
Ma xi mum D C R e ve r s e C urr e nt a t T
J
=2 5
O
C
Ra te d D C B lo c ki ng Vo lta g e T
J
=1 0 0
O
C
Typ i ca l J unc ti o n c a p a c i ta nc e ( No te 1 )
Typ i ca l The r ma l Re s i s ta nc e (No te 2 )
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te mp e ra tur e Ra ng e
S YMB OL
1 N5 4 0 0 1 N5 4 0 1 1 N5 4 0 2 1 N5 4 0 3 1 N5 4 0 4 1 N5 4 0 5 1 N5 4 0 6 1 N5 4 0 7 1 N5 4 0 8
UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θJ
A
R
θJ
C
T
J
,T
S TG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
3 .0
200
1 .2
5 .0
1000
30
35
15
-55 to +150
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μA
pF
O
1.0(25.4)MIN.
.210(5.3)
.188(4.8)
C /
W
C
O
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from junction to lead at 0.375”(9.5mm)lead length P.C.B.mounted.
REV.0.2-MAR.15.2010
PAGE . 1
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