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1N4947G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小157KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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1N4947G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

1N4947G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明PLASTIC, DO-41, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.25 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

1N4947G文档预览

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1N4942G THRU 1N4948G
GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER
Reverse Voltage -
200 to 1000 Volts
Forward Current -
1.0 Ampere
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
High temperature metallurgically bonded construction
For use in high frequency rectifier circuits
Fast switching for high efficiency
Glass passivated cavity-free junction
Capable of meeting environmental standards of
MIL-S-19500
1.0 ampere operation at T
A
=55 with no thermal runaway
High temperature soldering guaranteed:
350 /10 seconds, 0.375” (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3Kg) tension
Mechanical Data
Case:
DO-41 molded plastic over glass body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:
0.012 ounce, 0.335 gram
DIM
A
B
C
D
inches
Min.
0.165
0.079
0.028
1.000
DIMENSIONS
mm
Max.
0.205
0.106
0.034
-
Min.
4.2
2.0
0.71
25.40
Max.
5.2
2.7
0.86
-
Note
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Symbols
1N
4942G
1N
4944G
1N
4946G
1N
4947G
1N
4948G
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at T
A
=55
Peak forward surge current
8.3mS single half sine-wave superimposed
on rated load (MIL-STD-750D 4066 method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
T
A
=25
T
A
=150
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
C
J
R
JA
200
140
200
400
280
400
600
420
600
1.0
25.0
1.30
1.0
200.0
800
560
800
1000
700
1000
Volts
Volts
Volts
Amp
Amps
Volts
A
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance (Note 3)
Operating junction and storage temperature range
150
15.0
55.0
250
500
nS
F
/W
T
J
, T
STG
-65 to +175
Notes:
(1) Reverse recovery test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
(2) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts
(3) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted
1
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