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MMBTA05_R1_00001

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小231KB,共7页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBTA05_R1_00001概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

MMBTA05_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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MMBTA05,MMBTA06,MMBTA55,MMBTA56
NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
VOLTAGE
60~80 Volts
FEATURES
• NPN and PNP silicon, planar design
• Collector current I
C
= 500mA
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.120(3.04)
0.110(2.80)
POWER
225 mWatts
SOT-23
Unit
inch(mm)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-23, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0003 ounces, 0.0084 grams
• Marking :
M M B TA 0 5 = B 0 5
M M B TA 0 6 = B 0 6
M M B TA 5 5 = B 5 5
M M B TA 5 6 = B 5 6
0.079(2.00)
0.070(1.80)
0.008(0.20)
0.003(0.08)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.013(0.35)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
MAXIMUM RATINGS
PA RA M E TE R
C o lle c to r-E mi tte r Vo lta g e
C o lle c to r-B a s e Vo lta g e
E mi tte r-B a s e Vo lta g e
C o l l e c t o r C ur r e nt - C o nt i nuo us
C i r c ui t F i g ur e
S YM B O L
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
NP N
P NP
M M B TA 0 5 M M B TA 5 5 M M B TA 0 6 M M B TA 5 6 U N I T S
60
60
4 .0
500
NP N
P NP
80
80
V
V
V
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTIC
Total Device Dissipation FR-5 Board (Note 1)T
A
=25
O
C
Derate above 25
O
C
Thermal Resistance , Junction to Ambient
Total Device Dissipation Alumina Substrate (Note 2)T
A
=25
O
C
Derate above 25
O
C
Thermal Resistance , Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
SYMBOL
P
D
JA
P
D
JA
T
J
,T
STG
MAX
225
1.8
556
300
2.4
417
-55 to 150
PNP
UNIT
mW
mW/
O
C
O
C/W
mW
mW/
O
C
O
C
C
NPN
O
1.FR-4=70 x
60
x
1mm.
2.Alumina=0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5 alumina
STAD-NOV.30.2005
PAGE . 1
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