Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 150 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 18 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0041 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-PDSO-N5 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 200 A |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
BSZ033N03MSCGATMA1 | BSZ033N03MSCG | |
---|---|---|
描述 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 150 mJ | 150 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 18 A | 18 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0041 Ω | 0.0041 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-PDSO-N5 | S-PDSO-N5 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 5 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 200 A | 200 A |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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