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BSZ033N03MSCG

产品描述Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小326KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BSZ033N03MSCG概述

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

BSZ033N03MSCG规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)150 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)18 A
最大漏源导通电阻0.0041 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PDSO-N5
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)200 A
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BSZ033N03MSCG相似产品对比

BSZ033N03MSCG BSZ033N03MSCGATMA1
描述 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 150 mJ 150 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 18 A 18 A
最大漏源导通电阻 0.0041 Ω 0.0041 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 S-PDSO-N5 S-PDSO-N5
元件数量 1 1
端子数量 5 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 200 A 200 A
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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