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BSS84W-H

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-323, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小157KB,共9页
制造商FORMOSA
官网地址http://www.formosams.com/
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BSS84W-H概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-323, 3 PIN

BSS84W-H规格参数

参数名称属性值
厂商名称FORMOSA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)0.13 A
最大漏源导通电阻10 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON

BSS84W-H相似产品对比

BSS84W-H BSS84W
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-323, 3 PIN Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-323, 3 PIN
厂商名称 FORMOSA FORMOSA
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V
最大漏极电流 (ID) 0.13 A 0.13 A
最大漏源导通电阻 10 Ω 10 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W 0.225 W
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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