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MBR1045CT_T0_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小127KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR1045CT_T0_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

MBR1045CT_T0_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压45 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MBR1045CT_T0_10001文档预览

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MBR1040CT~MBR10200CT
10 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Low power loss, high efficiency.
• High current capability
• Guardring for overvlotage protection
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
40 to 200 Volts
CURRENT
10 Amperes
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AB molded plastic
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive loa d.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
M a xi mum Re curre nt P e a k Re ve rse Vo lta g e
M a xi mum R M S Vo lta g e
M a xi mum D C B lo ck i ng Vo lta g e
M a xi mum A ve ra g e F o rwa rd C urre nt (S e e fi g .1 )
P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 ms si ng le ha lf si ne -
wa ve s up e ri mp o se d o n ra te d lo a d (JE D E C me tho d )
M a xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 5 A , p e r le g
M a xi mum D C Re ve rse C urre nt a t Ra te d D C
B lo c ki ng Vo lta g e
Typ i ca l The rma l Re s i s ta nce
Op e ra ti ng a nd S to ra g e Juncti o n Te mp e r a ture Ra ng e
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 2 5
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
Θ
JC
T
J
,T
S TG
MB R10 4 0 MB R1 04 5 MB R1 05 0 MB R10 60 MB R10 80 MB R1 09 0 MB R1 01 00 MB R1 01 50 MB R1 02 00
CT
CT
CT
CT
CT
CT
CT
CT
CT
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
10
150
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7
0 .7 5
0 .0 5
20
2
0 .8
0.9
V
mA
O
C / W
O
-5 5 to +
1 50
-6 5 to + 1 7 5
C
Notes :
Both Bonding and Chip structure are available.
December 17,2012-REV.02
PAGE . 1

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