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NT5TU128M8HE-BE

产品描述DDR DRAM, 128MX8, 0.35ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TFBGA-60
产品类别存储    存储   
文件大小4MB,共101页
制造商南亚科技(Nanya)
官网地址http://www.nanya.com/cn
南亚科技股份有限公司以成为最佳DRAM(动态随机存取记忆体)之供应商为目标,强调以服务客户为导向,透过与夥伴们紧密的合作,强化产品的研发与制造,进而提供客户全方位产品及系统解决方案。面对持续成长的利基型DRAM市场,南亚科技除了提供从128Mb到8Gb产品,更持续拓展产品多元化。主要的应用市场包括数位电视、机上盒(STB)、网通、平板电脑等智慧电子系统、车用及工规等产品。同时,为满足大幅成长的行动与穿戴装置市场需求,南亚科技更专注於研发及制造低功耗记忆体产品。近年来,南亚科技积极经营利基型记忆体市场,专注於低功耗与客制化核心产品线的研发。在制程进度上,更导入20奈米制程技术,致力於生产DDR4和LPDDR4产品,期能进一步提升整体竞争力。南亚科技也将持续强化高附加价值利基型记忆体战线与完美的客户服务,强化本业营运绩效,确保所有股东权益,创造企业永续经营之价值。
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NT5TU128M8HE-BE概述

DDR DRAM, 128MX8, 0.35ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TFBGA-60

NT5TU128M8HE-BE规格参数

参数名称属性值
厂商名称南亚科技(Nanya)
包装说明TFBGA, BGA60,9X11,32
Reach Compliance Codecompliant
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.35 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)533 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度10 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织128MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA60,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm

NT5TU128M8HE-BE文档预览

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1Gb DDR2
DDR2 1Gb SDRAM H-Die
NT5TU128M8HE / NT5TU64M16HG
Nanya Technology Corp.
NT5TU128M8HE / NT5TU64M16HG
Commercial, Industrial and Automotive DDR2 1Gb SDRAM
Features
JEDEC DDR2 Compliant
- Double-data rate on DQs, DQS, DM bus
- 4n Prefetch Architecture
Data Integrity
- Auto Refresh and Self Refresh Modes
Power Saving Modes
- Power Down Mode
- Partial Array Self Refresh (PASR)
Throughput of valid Commands
- Posted CAS and Additive Latency (AL)
Signal Integrity
- Configurable DS for system compatibility
- Configurable On-Die Termination
SSTL_18 compliance and Power Supply
- VDD/VDDQ = 1.70 to 1.90V
Options
Speed Grade ( DataRate/CL-tRCD-tRP)
- 1066 Mbps / 7-7-7
-
800 Mbps / 5-5-5
2
1
Temperature Range (Tc)
3
- Commercial Grade = 0℃ to + 95℃
- Industrial Grade = - 40℃ to + 95℃
- Automotive Grade 2 = - 40℃ to + 105℃
- Automotive Grade 3 = - 40℃ to + 95℃
4
4
Additional Features
- OCD adjustment Mode for DS tuning
Programmable functions
Output Drive Impedance (Full, Reduced)
Burst Length (4, 8)
Burst Type (Sequential, Interleaved)
Rtt (50, 75, 150)
CAS Latency (3, 4, 5, 6, 7)
Additive Latency (0, 1, 2, 3, 4, 5, 6)
WR (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8)
PASR (full, 3/4, 1/2, 1/4, 1/8)
Package / Density information
Lead-free RoHS compliance and Halogen-free
1Gb
(Org / Package)
Length x Width
(mm)
Density and Addressing
Configuration
Number of Banks
Bank Address
Ball pitch
(mm)
128 Mb x 8
8
BA0 - BA2
A10/AP
A0 - A13
A0 - A9
1 KB
64 Mb x 16
8
BA0 - BA2
A10/AP
A0 - A12
A0 - A9
2 KB
128 Mb x 8
60
TFBGA
8.00 x 10.00
0.80
Auto Precharge
Row Address
64 Mb x 16
84
TFBGA
8.00 x 12.50
0.80
Column Address
Page Size
Notes:
1. The timing specification of high speed bin is backward compatible with low speed bin.
2. This is enabled by using an electrical fuse. Please contact with NTC for the demand.
3. If TC exceeds 85°C, the DRAM must be refreshed externally at 2x refresh. It is required to set tREFI=3.9μs in auto refresh mode and to
set ‘1’ for EMRS (2) bit A7 in self refresh mode.
4. Not Ready. Please check the available schedule with NTC.
1
Version 1.3
03/2014
NTC has the rights to change any specifications or product without notification.
Nanya Technology Corporation ©
All Rights Reserved
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