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VR5DR567218FBZ

产品描述DDR DRAM Module, 256MX72, 0.4ns, CMOS, SODIMM-200
产品类别存储    存储   
文件大小334KB,共17页
制造商光颉(Viking)
官网地址http://www.viking.com.tw/
标准  
光颉科技于1997年10月成立于新竹科学园区,是中国台湾第一家结合薄膜/厚膜的制程技术与高频被动组件/模块设计开发能力的专业厂商,拥有优越的技术研发团队,致力于薄膜的制程技术研发与高频组件/模块整合的设计开发,提供符合系统产品高频化与小型化需求的整合型被动组件与高频模块等关键零组件,成功整合了电阻/电容/电感/二极管等等被动组件(Integrated Passive Devices, IPDs), 可被广泛应用在移动式个人电子产品的静电防制及电磁滤波(ESD & EMI Filter)等等。
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VR5DR567218FBZ概述

DDR DRAM Module, 256MX72, 0.4ns, CMOS, SODIMM-200

VR5DR567218FBZ规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称光颉(Viking)
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM,
针数200
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
JESD-30 代码R-XDMA-N200
长度67.564 mm
内存密度19327352832 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织256MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度29.972 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9878 mm
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