VR5DU646416EBY,VR5DU646416EBY pdf中文资料,VR5DU646416EBY引脚图,VR5DU646416EBY电路-Datasheet-电子工程世界

VR5DU646416EBY: 产品描述DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200; 产品类别存储存储; 文件大小221KB，共14页; 制造商光颉(Viking); 官网地址http://www.viking.com.tw/; 标准; 光颉科技于1997年10月成立于新竹科学园区，是中国台湾第一家结合薄膜/厚膜的制程技术与高频被动组件/模块设计开发能力的专业厂商，拥有优越的技术研发团队，致力于薄膜的制程技术研发与高频组件/模块整合的设计开发，提供符合系统产品高频化与小型化需求的整合型被动组件与高频模块等关键零组件，成功整合了电阻/电容/电感/二极管等等被动组件(Integrated Passive Devices, IPDs), 可被广泛应用在移动式个人电子产品的静电防制及电磁滤波(ESD & EMI Filter)等等。

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VR5DU646416EBY概述

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	光颉(Viking)
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM,
针数	200
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
JESD-30 代码	R-XDMA-N200
长度	67.564 mm
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	200
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	64MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
座面最大高度	29.972 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	3.556 mm

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