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BY133_B0_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小102KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BY133_B0_10001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1300V V(RRM), Silicon, DO-41,

BY133_B0_10001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压1300 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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BY127M,BY133,EM513
PLASTIC SILICON RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Low forward voltage drop
• High reliability
• High surge current capability
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
1.0(25.4)MIN.
1250 to 1600 Volts
CURRENT
1.0 Ampere
DO-41
Unit: inch(mm)
• High current capability
.034(.86)
.028(.71)
MECHANICALDATA
• Case: DO-41 Molded plastic
• Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant.
• Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.012 ounces, 0.30 gram
.205(5.2)
.160(4.1)
.107(2.7)
1.0(25.4)MIN.
.080(2.0)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load,derate current by 20%.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T
A
= 7 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t T
J
= 2 5
O
C
R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e ( N o t e 2 )
O p e r a t i n g a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θ
J A
R
θ
J L
T
J
, T
S T G
B Y1 2 7 M
1250
875
1250
B Y1 3 3
1300
910
1300
1 .0
30
1 .1
5 .0
500
15
50
25
-5 5 to +1 5 0
E M513
1600
11 2 0
1600
U N IT S
V
V
V
A
A
V
µ
A
pF
O
C / W
O
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from junction to lead at 0.375”(9.5mm)lead length P.C.B.mounted.
STAD-FEB.27.2009
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