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UF206_AY_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-15,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小51KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF206_AY_10001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-15,

UF206_AY_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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UF200 ~ UF2010
ULTRAFAST SWITCHING RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
50 to 1000 Volt
CURRENT
2 Ampere
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
• Ultra Fast switching for high efficiency.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
0.034(0.86)
0.028(0.71)
MECHANICALDATA
• Case: Molded plastic, DO-15
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Weight: 0.014 ounce, 0.397 gram
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
0.300(7.6)
0.230(5.8)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
PARAM ETE R
M a ximum Re c ur r e nt Pe a k Re ve r s e Vo lt a g e
M a ximum RM S Vo lt a g e
M a ximum DC Blo c k ing Vo lt a g e
M a ximum A ve r a g e F o r w a r d Cur r e nt a t T
A
= 5 5
O
C
Pe a k Fo r w a r d Sur g e Cur r e nt : 8 . 3 ms s ing le ha lf s ine - w a ve
s up e r imp o s e d o n r a t e d lo a d
M a ximum F o r w a r d Vo lt a g e a t 2 A
M a ximum DC Re ve r s e Cur r e nt a t Ra t e d DC Blo c k ing
Vo lt a g e
Ty p ic a l J unc t io n Ca p a c it a nc e ( No t e 1 )
Ty p ic a l The r ma l Re s is t a nc e ( No t e 2 )
M a ximum Re ve r s e Re c o ve r y Time ( No t e 3 )
O p e r a t ing J unc t io n a nd S t o r a g e Te mp e r a t ur e Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
S Y M BO L
UF 2 0 0 UF2 0 1 UF2 0 2 UF 2 0 4 UF2 0 6 UF 2 0 8 UF 2 0 1 0
UNI TS
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F( AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJ
A
t
rr
T
J
, T
ST G
50
-55 to +150
1
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2
60
1. 3
10
500
35
40
75
O
1.0(25.4)MIN.
0.140(3.6)
0.104(2.6)
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
1. 7
V
μA
pF
C / W
ns
O
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from Junction to lead length 0.375”(9.5mm) P.C.B. mounted.
3. Reverse Recovery Time I
F
=0.5A ,I
R
=1A , I
rr
=0.25A
August 20,2014-REV.05
PAGE . 1
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