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2N7002TB_R1_00001

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小193KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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2N7002TB_R1_00001概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

2N7002TB_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性ULTRA LOW RESISTANCE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.115 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JESD-30 代码R-PDSO-F3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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2N7002TB
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
FEATURES
• R
DS(ON)
, V
GS
@10V,I
DS
@500mA=5Ω
• R
DS(ON)
, V
GS
@4.5V,I
DS
@50mA=7.5Ω
SOT-523
0.013(0.33)
0.009(0.23)
Unit
inch(mm)
• Advanced Trench Process Technology
• High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
• Specially Designed for Battery Operated Systems, Solid-State
Relays Drivers : Relays, Displays, Lamps, Solenoids, Memories, etc.
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.052(1.30)
0.043(1.10)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.067(1.70)
0.059(1.50)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-523, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.002 grams
• Marking: 72
3
D
0.012(0.30)
0.004(0.10)
G
1
S
2
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T
A
=25
O
C unless otherwise noted )
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gats-Source Voltage
Continous Drain Current
Pulsed Drain Current
(1)
Maximum Power Dissipation
Junction-to Ambient Thermal Resistance (PCB mounted)
2
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
T
A
=25
o
C
T
A
=75 C
o
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
I
D
0.007(0.17)
0.002(0.07)
0.067(1.70)
0.059(1.50)
0.024(0.60)
0.019(0.50)
LIMIT
60
+20
115
800
150
90
833
-55 to 150
UNITS
V
V
mA
mA
mW
o
DM
P
D
R
Θ
JA
T
J
, T
S TG
C/W
o
C
Note 1 : Maximum DC current limited by the package
2 : Surface mounted on FR4 board,t <10 sec
PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DSEIGN, FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
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PAGE . 1
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