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P4KE33CHR1G

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 26.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小195KB,共7页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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P4KE33CHR1G概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 26.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN

P4KE33CHR1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明DO-41, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压36.3 V
最小击穿电压29.7 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压26.8 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层PURE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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