Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P4SMA10A_R2_00001

文档预览

P4SMA10A_R2_00001: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 8.55V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小209KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

P4SMA10A_R2_00001在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	P4SMA10A_R2_00001	-	-	点击查看	点击购买

P4SMA10A_R2_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 8.55V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

P4SMA10A_R2_00001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	10.5 V
最小击穿电压	9.5 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AC
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压	8.55 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

P4SMA10A_R2_00001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P4SMA SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

FEATURES

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-O

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives

• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)

012(0

305)

006(0.152)

0.062(1.60)

0.047(1.20)

0.181(4.60)

0.157(4.00)

0.114(2.90)

0.098(2.50)

0.008(0.203)

0.002(0.051)

0.208(5.28)

0.188(4.80)

6.8 to 250 Volts

• For surface mounted applications in order to optimize board space

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-214AC,Molded plastic over passivated junction.

• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Standard Packaging:12mm tape (EIA-481)

• Weight: 0.002 ounce, 0.064 gram

0.060(1.52)

0.030(0.76)

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types P4SMA6.8 thru types P4SMA250.

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Rating

Peak Pulse Power Dissipation on T

= 25

C (Notes 1,2,5, Fig.1)

Peak Forward Surge Current per Fig.5 (Notes 3)

Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)Fig.2

Typical Thermal Resistance Junction to Air (Notes 2)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

FSM

PPM

θJA

STG

Value

400

see Table 1

-55 to +150

Units

Watts

Amps

C/W

NOTES :

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

= 25

C per Fig. 2.

2. Mounted on 5mm

copper pads to each terminal.

3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.

4. Lead temperature at 75

C = T

5. Peak pulse power waveform is 10/1000

μs.

A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or greater than the DC

or continuous peak operating voltage level.

November 22,2012-REV.06

PAGE . 1

推荐资源

珠海炬力招聘笔试: 这是珠海炬力09年招聘硬件工程师的笔试题...; dulfke 模拟电子

使用coldfire MCU的mini-flexbus外扩内存\flash等设备指南: 这个文档说明了利用mini-flexbus总线接口外扩flash，或者sram等外部设备时的注意事项，包括硬件设计要点和软件设置(主要是如何配置总线时序参数）的相关问题，并给出了示例。非常有参考价值这个 ......; bluehacker NXP MCU

【NUCLEO-L452RE测评】在已有测试仪表下的提高精度的测试的方法讨论: 此文纯属讨论——因为原先想搭一电路进行测试，但时间有限，只能抛出讨论，以后有时间再进行测试了。手头有一块51搭建的基于24位ADC的6.5位万用表，6位精度还是可以保证的，因此设计原理见图31 ......; zhjb1 stm32/stm8

RC snubber circuit 设计原理: 本帖最后由 shaorc 于 2019-5-19 18:17 编辑如图，为了减少音频信号接入扬声器负载时，电压突波对负载的冲击，以及振铃效应要加入RC snubber circuit RC吸收电路（红框），或者茹贝尔电路 ......; shaorc 模拟电子

28335CMD文件的问题: 在main()函数中设置了5个数组，长度各为5000个。更改CMD文件，将其地址设置在ZONE6区（外部RAM），编译通过但运行不能进中断。这是为什么？...; simon_eun 微控制器 MCU

关于source中的TARGETLIBS和SOURCELIBS的区别: 请教各位： TARGETLIBS= \ $(_PLATCOMMONLIB)\$(_CPUINDPATH)\oal_startup_pxa27x.lib \ 这个是不是不需要两此LIB拷贝到工程目录下，类似静态链接？？ SOURCELIBS和TARGETLIBS区别是 ......; fujike029 嵌入式系统

NEC和东芝将扩展与IBM的芯片技术协议

NEC电子公司（NECElectronicsCorp.）和东芝公司（ToshibaCorp.）同意扩展与IBMCorp.的研发协议，允许联合开发使用于消费者产品的28纳米半导体技术。这三家公司18日表示，两家日本公司将与IBM一起开发28纳米互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术。在IBM纽约州EastFishkill的工厂，该团队还将包括InfineonTech...[详细]
美国MIT取得可伸缩电子组件制造技术新突破

美国研究人员开发出一种原理与车窗隔热贴纸剥落类似的方法，可望有助于精确控制可伸缩电子组件(stretchableelectronics)的制造。可伸缩电子组件能让电子装置嵌入到衣物、手术用手套、电子纸或是其它软性材料中，但却不容易制造，因为内部的电气布线会在组件材料扭转的时候被损毁。像是石墨烯(graphene)这类超薄、可挠又强韧的材料，是做为可伸缩电子组件的理想候选方案；美...[详细]
芯片-封装协同设计方法优化SoC设计

随着工艺节点和裸片尺寸不断缩小，采用倒装芯片封装IC器件的消费电子产品的数量日益增加。但是，倒装芯片封装制造规则还没有跟上工艺技术发展的步伐。因此需要一种更精确、更高效的I/O接口设计方法，特别是针对倒装芯片设计的I/O接口设计方法。这种一体化芯片-封装协同设计方法应允许开展早期的可行性研究，还要能优化封装和芯片接口设计，同时能满足芯片和封装需要的严格约束条件。目前，大...[详细]
半导体封装技术向垂直化方向发展

3D半导体封装技术的发展，使我们日常使用的许多产品(诸如手机、个人娱乐设备和闪存驱动器等)的形态和功能得以实现。对那些依赖胰岛素泵和去纤颤器等可植入医疗设备的患者来说，这些3D封装技术对提升生命质量起着关键作用。越来越多的半导体产品采用垂直化发展的堆叠式裸片、层叠封装（PoP）或穿透硅通道（TSV）等封装技术，功能密度、重量和可配置性方面的优势只是3D封装技术广受青睐的部分原因。每种封装方...[详细]
半导体产业“阳春”乍现市场预期普遍上调

半导体市场已压抑了太久太久，近期市况改善的情形令业界格外兴奋。　　“破产”、“裁员”、“负增长”，这些词伴随着产业在寒冬中苦苦挣扎。然而自今年4月，市场似乎得到了春日的眷顾，散发出勃勃生机。许多公司订单增多，销售收入增长，产能利用率也大幅上升。在这种情况下，市场调研机构纷纷上调了2009年的市场预期。　　触底之后遇“阳春”　　目前业界普遍认为，半导体市场已在第一季度触底。...[详细]
WAPI晋身国际标准　「中国芯」优势何在？

随着WAPI(编按：中国自有WLAN安全性标准)在前不久于日本东京召开的ISO/IECJTC1/SC6全会上，获得包括美、英、法等10余个与会国家成员体一致同意，正式成为无线计算机网络局域网络的国际标准，中国的无线局域网络(WLAN)已掀开一个新的篇章，也标志着中国的WLAN将进入一个快速发展的阶段。识时务者为俊杰，在看到中国的WAPI成为国际标准已毫无悬念的情况下，很多欧美...[详细]
科胜讯任命整合后公司联席总裁

影像、音频、视频和因特网连接应用提供创新性半导体解决方案供应商科胜讯系统公司（纳斯达克代码：CNXT）宣布ChristianScherp和SaileshChittipeddi被任命为预计在第四财季完成宽带接入业务出售给IkanosCommunications,Inc.（纳斯达克代码：IKAN）后的公司的联席总裁。该任命从新闻发布日起生效。之前，Scherp担任...[详细]
Ramtron推出8Mb并口非易失性F-RAM存储器

RamtronInternationalCorporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb)F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态RAM(SRAM)引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机...[详细]
大尺寸LCD面板重现生机，下半年有望复苏

据iSuppli公司，估计第二季度大尺寸液晶显示器(LCD)面板市场营收增加了53%，第一季度则下降了13%。第二季度的营收与去年同期相比估计下降了25%。劲旺的面板需求及上涨的价格将使市场重现赢利及营收增长，2009年下半年可望全面复苏。就数量而言，预计第二季度销售将增加超过41%，达到1.3亿台。开始复苏从2009年第一季度开始，整个供应链保持低库存，同时LCD工厂...[详细]
Spansion发布选择性Q2财务信息及业务状况

7月29日，Spansion发布了截止至2009年7月28日的选择性的第二季度财务结果，以示其在重组过程中不断取得的成果。　　SpansionJapanLimited（Spansion的子公司）于2009年3月3日在日本开始其公司重组程序。由此，根据美国GAAP，Spansion的财报将不再包括SpansionJapanLimited的财务结果。在此提交的财务信息仅代表Span...[详细]
多晶硅疾进：一个西部城市的千亿宏图

在当地政府的推动下，一个西部新能源基地，正在酝酿。　　地处成都、川南和攀西三大经济区结合部的四川乐山，正试图通过打造三条产业链——太阳能光伏硅材料产业链、电子级硅材料产业链、硅化工循环利用产业链。　　据来自乐山市政府的资料显示，2008年，乐山电子及硅材料产业集群实现主营业务收入69.6亿元，同比增长40%，其中，多晶硅产量1180吨。　　“截至6月底，全市已形成年产多晶...[详细]
海力士第一季亏损8.94亿美元连亏6季度

据国外媒体报道，全球第二大内存芯片厂商海力士今天发布了第一季度财报。财报显示，海力士净亏损由上年同期的6748亿韩元扩大至1.19万亿韩元(约合8.94亿美元)。这也是海力士连续第六个季度亏损。　　海力士第一季度营收下滑了24%至1.2万亿韩元。　　据市场研究公司野村证券和花旗集团称，随着内存芯片价格反弹，海力士第三季度可能扭亏为盈。　　分析师预计，第一季度海力士营收为1.2万...[详细]
EMS供应商收入大幅缩水，富士康风光不再

由iSuppli公司提供的市场份额初步统计结果显示，多年来独力推动全球电子制造业务(EMS)增长的富士康泓海公司在2008年的收入增长微不足道，这使顶级的EMS市场缩小。根据iSuppli的初步估计，2008年全球前十位EMS供应商的整体收入达1299亿美元，较2007年的1336亿美元下降了2.8%。相比2007年19.2%的增长率和2006年20.3%的增长率，其下降幅度很大...[详细]
打造电子制造业的春天 NEPCON/EMT上海开幕

2009年4月21日，亚洲地区电子制造与表面贴装行业盛会——第十九届中国国际电子生产设备暨微电子工业展/中国国际电子制造技术展览会（NEPCON/EMTChina2009）在上海光大会展中心拉开帷幕。本届展会共吸引超过22个国家和地区的400余家展商前来参展，展示产品范围覆盖电子制造业的整个产业链，内容涉及表面贴装技术（SMT）、电子制造服务、测试与测量设备、元器件、印刷电路...[详细]
代工厂一季度业绩触底二季度反弹在即

四月底，各家Foundry2009年第一季度业绩纷纷出炉，尽管各家销售收入均比2008年第四季度有大幅下降，下降幅度在30%～46%之间不等，但各家却对2009年第二季度充满信心。据台积电公布的数据显示，台积电2009年第一季度收入395亿新台币，净收益15.6亿新台币，每股收益0.06元新台币。与2008年第一季度相比，收入下降了54.8%，净收益和每股收益分别下降了94.5%和94.4%...[详细]

小广播

热搜元器件